DMP2170U-13

当您的下一代便携设备需要兼顾极致能效与可靠性能时，是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定工作的P沟道MOSFET而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMP2170U-13，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，专为应对现代电子设计的挑战而生。它不仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、确保长期稳定性的关键引擎。

想象一下，在您的智能手机、平板电脑或可穿戴设备中，这颗芯片正默默承担着电源管理、负载开关或信号切换的重任。其20V的漏源电压和3.1A的连续漏极电流能力，让它在电池供电场景下游刃有余，有效延长设备的续航时间。更令人振奋的是，它隶属于Automotive, AEC-Q101产品系列，这意味着它经过了汽车级可靠性的严苛认证，能够从容应对-55°C到150°C的极端温度冲击。无论是炎夏的车载信息娱乐系统，还是严冬的户外便携设备，它都能保持稳定输出，让您的产品无惧环境挑战。

选择DMP2170U-13，就是选择了一份放心的保障与卓越的价值。其低至90毫欧的导通电阻（在3.5A，4.5V条件下）意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效。小巧的SOT-23封装为您的PCB布局节省了宝贵空间，让设计更加紧凑灵活。而极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，响应迅捷，让您的系统运行如行云流水。如果您正在寻找可靠、高效且具有成本优势的解决方案，通过我们专业的DIODES一级代理渠道获取这颗芯片，将是您迈向成功产品的最明智决策之一。

• 型号:DMP2170U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:303 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为复杂的电源管理设计而头疼吗？DMP2170U-13 P沟道MOSFET就是为您简化设计、提升效率的得力助手。它能让您轻松实现高效的负载开关和电源路径控制，其优异的电气参数，如低至90毫欧的导通电阻和仅7.8nC的栅极电荷，确保了极低的功率损耗和快速的开关响应。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的便携式设备、消费电子或汽车辅助系统运行得更凉爽、更持久、更可靠。其3.1A的电流处理能力和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），赋予了产品强大的环境适应性和稳定性。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、稳健的“心脏”。