2N7002TC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款体积小巧、性能可靠且成本经济的信号开关或负载驱动方案而烦恼？今天，我们为您带来的2N7002TC，正是这样一颗能够完美平衡性能与成本的N沟道MOSFET。它虽然已经停产，但其经典的设计和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和新设计替代中依然闪耀着不可替代的价值。选择它，意味着您选择了一个久经考验的解决方案，能够为您的产品稳定运行提供坚实保障。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或低功耗控制板中，2N7002TC正默默发挥着关键作用。它那仅115mA的连续漏极电流和60V的漏源电压，使其成为小信号切换、电平转换和低功率负载驱动的理想选择。无论是用于控制LED指示灯的亮灭，还是作为逻辑电路与功率部分的隔离接口，这颗芯片都能以极高的效率完成任务。其SOT-23-3的超紧凑封装，更是为您的PCB布局节省了宝贵空间，让设计更加灵活自由。当您需要可靠的合作伙伴来获取这类经典且性能稳定的元器件时，专业的DIODES芯片代理将是您供应链的有力支撑。

那么，为何在众多选择中，2N7002TC依然值得您的关注？答案在于其卓越的易用性和稳定性。仅需5V至10V的驱动电压，它就能实现低至7.5欧姆的导通电阻，确保信号在通过时损耗极小。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种严苛环境下都能稳定工作。对于许多成熟产品线的维护、升级或成本优化项目而言，这颗经过市场长期验证的芯片，意味着更低的设计风险、更快的上市时间以及更可控的BOM成本。它代表的不仅是一个元件，更是一种经过时间淬炼的设计智慧。

• 型号:2N7002TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能高效、可靠地处理小信号开关任务的“全能选手”吗？2N7002TC正是这样一款经典的N沟道MOSFET。它能轻松胜任60V电压、115mA电流范围内的负载控制与信号切换，让您的电路设计简洁而高效。

得益于其仅需5V的低驱动门槛和7.5欧姆的低导通电阻，它能显著降低功耗，提升系统能效。超小的SOT-23-3封装为您节省宝贵的电路板空间，而宽广的工作温度范围则确保了它在各种环境下都能稳定运行。无论是用于电平转换、负载驱动还是作为模拟开关，它都能让您的设计事半功倍。