DMTH6004LPS-13

您是否正在为下一代电源设计寻找一颗既能承受高功率密度挑战，又能保持卓越效率的MOSFET？想象一下，在紧凑的电路板上，一个关键开关元件以极低的导通损耗运行，将宝贵的电能几乎无损地传递，同时将发热量降至最低，让您的系统运行更冷静、更持久。这正是DMTH6004LPS-13为您带来的核心价值。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其60V的耐压和高达22A（Ta）/100A（Tc）的连续漏极电流能力，为工程师提供了坚实的性能基石。更令人印象深刻的是，它在10V驱动下，导通电阻低至惊人的2.8毫欧，这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。

这种卓越的性能特性，让DMTH6004LPS-13在众多高要求的应用场景中游刃有余。无论是服务器和数据中心里为CPU、GPU供电的DC-DC转换器，还是工业自动化设备中的电机驱动与电源管理模块，甚至是日益精密的汽车电子系统如LED照明驱动和电池管理系统，它都能稳定可靠地扮演“高效电能开关”的关键角色。其PowerDI5060-8封装专为高功率密度设计，表面贴装形式完美适配现代自动化生产线，帮助您轻松实现小型化、高可靠性的产品布局。面对从-55°C到175°C的宽广结温范围，这颗芯片展现出强大的环境适应力，确保您的设备在严苛条件下依然稳定运行。

那么，在琳琅满目的功率器件中，为何DMTH6004LPS-13能成为您的明智之选？答案在于它精准平衡了性能、效率与可靠性。极低的栅极电荷（96.3nC @ 10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源频率、减小无源元件尺寸至关重要。同时，其稳健的电气参数（如±20V的Vgs最大值）提供了充足的设计余量，增强了系统的鲁棒性。选择它，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一种致力于提升终端产品竞争力的设计哲学。为了确保您能获得原装正品和全面的技术支持，我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购，这将是您项目成功与长期稳定供货的有力保障。让DMTH6004LPS-13成为您下一个明星产品的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:DMTH6004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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在追求极致能效的今天，您是否渴望一颗能大幅降低系统损耗、提升功率密度的“能量开关”？DMTH6004LPS-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达100A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于仅2.8毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的热量产生，让您的电源设计更高效、更冷静。

它能让您轻松应对DC-DC转换、电机驱动等高要求场景。优异的开关特性（低栅极电荷）配合PowerDI5060-8封装，助力您实现小型化、高可靠性的紧凑布局。选择DMTH6004LPS-13，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。