DMP2165UW-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间和性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗仅SOT-323封装的芯片，却能稳健承载2.5A的连续电流，将P沟道MOSFET的效能推向新高度这正是DMP2165UW-7为您带来的颠覆性体验。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现小型化、高效化升级的关键引擎。

当您需要为便携设备、智能穿戴或高密度板卡设计负载开关、电源路径管理时，DMP2165UW-7的卓越特性便大放异彩。其低至90毫欧的导通电阻（在1.5A，4.5V条件下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接提升了终端设备的续航能力与运行稳定性。无论是应对-55°C到150°C的严苛环境挑战，还是在空间极其有限的PCB布局中游刃有余，它都能确保您的设计从容不迫。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

为何众多领先厂商在关键项目中信赖DMP2165UW-7？答案在于其无与伦比的综合价值。它拥有20V的漏源电压和仅3.5nC的低栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，这对于需要精密电源控制的场景至关重要。同时，其1.8V的低驱动电压门槛，使其能完美兼容现代低电压逻辑电路，让系统集成变得前所未有的轻松。更重要的是，通过值得信赖的DIODES授权代理，您不仅能获得原厂正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，确保这颗高性能芯片的价值在您的设计中得到百分百的释放。从概念到量产，DMP2165UW-7都是您值得托付的伙伴，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMP2165UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:335 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在寻找一颗能同时满足小体积、大电流和高效能要求的P沟道MOSFET吗？DMP2165UW-7正是为您而来的解决方案。它能在仅SOT-323的微小身躯内，稳健处理高达2.5A的连续电流，并以低至90毫欧的导通电阻大幅减少功率损耗，直接提升您设备的能效与续航。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其1.8V的低驱动电压让您能轻松对接各类低压微控制器，而快速的开关特性（栅极电荷仅3.5nC）确保了电源管理的精准与高效。无论是用于便携设备的负载开关，还是高密度板卡上的电源路径控制，它都能让您的系统运行更凉爽、更可靠。

选择DMP2165UW-7，就是选择了一种高效可靠的设计路径。它宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予产品强大的环境适应性，助您轻松应对各种应用挑战，加速产品上市进程。