DMP2075UVT-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗集高性能、小体积与高可靠性于一体的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在DMP2075UVT-13。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其20V的漏源电压和高达3.8A的连续漏极电流，为您带来前所未有的高效功率切换体验。其核心魅力在于极低的导通电阻在4.5V驱动电压下，仅75毫欧的最大值，意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的设备运行时间。

无论是需要精密电源管理的便携式设备、高密度集成的消费类电子产品，还是对可靠性要求严苛的工业模块，DMP2075UVT-13都能游刃有余。它那微小的TSOT-26封装，完美解决了空间受限的设计难题，让您在寸土寸金的PCB上实现更复杂的电路布局。从智能手机的负载开关、电池保护电路，到无人机、IoT传感器节点的电源路径管理，这颗芯片都能确保稳定、高效的功率流，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的续航和稳定性脱颖而出。

选择DMP2075UVT-13，就是选择了一份安心与高效。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。更低的栅极电荷（仅8.8nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，提升了整体系统的响应速度。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，与值得信赖的DIODES一级代理合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，更能获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、赢得市场的强大引擎。

• 型号:DMP2075UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在为寻找一颗既能高效开关又节省空间的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2075UVT-13正是为您量身打造的解决方案。它能为您做什么？它让您轻松实现高达3.8A电流的精密控制，凭借低至75毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，直接提升您设备的能效和续航能力。

这颗芯片采用超紧凑的TSOT-26封装，完美适配高密度电路板设计，为您节省宝贵的布局空间。其优异的电气特性，如低栅极电荷和宽工作温度范围，确保您的应用从便携消费电子到工业控制，都能获得稳定、可靠的性能表现。选择它，就是选择高效与省心。