FZT658TC

当您的设计需要一颗能在高压环境下稳定输出、同时兼顾紧凑空间与可靠性的开关晶体管时，您是否曾为选型而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您推荐FZT658TC，这颗来自Diodes Incorporated的NPN型晶体管，正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下，在您的离线式开关电源、LED驱动器或高效AC-DC转换器中，FZT658TC正以其高达400V的集射极击穿电压和500mA的集电极电流能力，从容应对各种高压开关和线性放大任务。其紧凑的SOT-223表面贴装封装，让您能在寸土寸金的PCB板上实现高功率密度布局，而2W的最大功耗和高达150°C的结温工作范围，则确保了它在严苛环境下的长期稳定运行，大幅提升了终端产品的耐用性和可靠性。这意味着，无论是家用电器、工业控制还是消费电子，它都能成为您电路中那个沉默而强大的基石。

选择FZT658TC，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与高性价比的完美结合。它优异的饱和压降特性（低至500mV）意味着更低的导通损耗和更高的整体能效，直接帮助您的产品节能降耗。同时，高达50MHz的跃迁频率使其在开关应用中响应迅速，动态性能出众。我们作为值得信赖的DIODES一级代理，不仅能为您提供稳定可靠的货源和具有竞争力的价格，更能带来专业的技术支持与高效的供应链服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。让FZT658TC的强大性能，为您的创新产品注入源源不断的动力。

• 型号:FZT658TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 10mA，100mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 200mA，10V
• 功率 - 最大值:2 W
• 频率 - 跃迁:50MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 供应商器件封装:SOT-223-3
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它采用紧凑的SOT-223封装，帮助您高效节省PCB空间，实现更精巧的设计。同时，其低至500mV的饱和压降和2W的功率处理能力，确保了系统运行时的低损耗与高能效。无论是应对-55°C到150°C的宽温工作环境，还是需要快速的开关响应（50MHz跃迁频率），FZT658TC都能稳定胜任，让您的产品性能表现更加出众和可靠。