DMP2021UFDE-13

当您的下一代便携式设备需要更持久的续航和更紧凑的设计时，您是否正在寻找一颗既能承载大电流又足够小巧的电源管理核心？答案就在DMP2021UFDE-13。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其卓越的性能，正在重新定义20V以下应用的能效与空间平衡。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现性能飞跃、赢得市场竞争的关键赋能者。

想象一下，在您掌中的智能手机、轻薄的笔记本电脑或是随时待命的无人机中，DMP2021UFDE-13正默默发挥着巨大作用。其高达11.1A的连续漏极电流能力，足以轻松应对快速充电、电机驱动或负载开关中的峰值功率需求，确保系统运行稳定而强劲。而低至16毫欧的导通电阻（在7A，4.5V条件下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的电池使用时间和更低的设备温升，让用户体验到实实在在的“凉又静”。无论是需要高效电源路径管理的移动设备，还是对空间极其敏感的穿戴式装置，它都能完美融入。

选择DMP2021UFDE-13，就是选择了一份可靠与高效。它采用先进的U-DFN2020-6（E类）封装，在提供强大电气性能的同时，将占板面积压缩到极致，为您的产品内部腾出宝贵空间以集成更多功能或实现更纤薄的外观。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了从严寒到酷暑各种苛刻环境下的稳定运行，大大提升了产品的可靠性和适用场景。更低的栅极电荷和优化的开关特性，还有助于简化您的驱动电路设计，提升整体系统的切换效率。当您追求极致的功率密度与能效时，这颗芯片就是您的不二之选。如需获取样品或技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供专业服务。

总而言之，DMP2021UFDE-13集高电流、低阻抗、小尺寸和高可靠性于一身，它不仅仅解决了电路设计中的痛点，更是您将产品创意转化为市场爆款的强大助推器。让它成为您下一个明星产品的“心脏”，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMP2021UFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• 想获取DMP2021UFDE-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否希望为您的设计找到一颗既能“大力出奇迹”又能“身轻如燕”的功率开关？DMP2021UFDE-13正是这样一位全能选手。它是一颗P沟道MOSFET，能轻松驾驭高达11.1A的连续电流，而其超低的导通电阻（最低仅16毫欧）能显著减少功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更长的电池寿命。

这颗芯片采用极其紧凑的U-DFN2020-6表面贴装封装，让您能在寸土寸金的PCB板上实现高功率密度的布局，特别适合空间受限的便携式电子产品。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围和稳健的电气特性，确保您的产品在各种环境下都能稳定可靠地运行。选择它，就是选择了一种高效、省心且面向未来的电源管理解决方案。