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DDC114TH-7的图片

DDC114TH-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
原厂封装:封装:SOT-563
优势价格,DDC114TH-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DDC114TH-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致紧凑与高效能的电路设计中,您是否常常为分立元件的布局和匹配而烦恼?想象一下,一个微小的封装内,不仅集成了两个性能卓越的NPN晶体管,更贴心地为您内置了精准的偏置电阻,让您的设计从此告别繁琐,直抵高效与可靠的核心。这正是DDC114TH-7为您带来的革新体验。

这款来自Diodes Incorporated的双NPN预偏置晶体管阵列,以其SOT-563(SOT-666)的超微型封装,在仅150mW的功率预算内,释放出高达50V的耐压能力和100mA的驱动电流。它不仅仅是一个元件,更是一个经过精心调校的“即插即用”信号处理单元。其内置的10千欧基极电阻,确保了晶体管工作在稳定、线性的放大区间,最小直流电流增益高达100,这意味着您能以极小的输入电流,精准控制更大的输出,显著提升系统的能效比和信号保真度。无论是处理微弱的传感器信号,还是驱动小功率负载,它都能让您的电路响应更迅捷,运行更宁静。

这种高度集成与优化的特性,使其在当今智能设备中如鱼得水。您可以轻松地将它应用于智能手机的背光驱动、便携式医疗设备的信号调理模块,或是物联网传感器节点的接口电路中。在空间寸土寸金的TWS耳机、智能手表内部,DDC114TH-7能有效简化PCB布局,减少外围器件数量,从而加速您的产品上市周期。其高达250MHz的跃迁频率,更能从容应对音频乃至部分射频信号的处理需求,为产品增添一抹高性能的亮色。

选择DDC114TH-7,就是选择了一种更聪明、更可靠的设计哲学。它通过预偏置设计,从根本上消除了分立方案中因电阻参数离散性导致的性能波动,保障了每一批产品的一致性。超低的Vce饱和压降(仅300mV)意味着更少的能量以热量的形式耗散,让您的设备运行更凉爽,续航更持久。面对复杂的供应链环境,通过正规的DIODES授权代理进行采购,不仅是获得正品芯片和稳定供货的保障,更能获得专业的技术支持与选型指导,让您的创新之旅全程无忧。立即采用DDC114TH-7,化繁为简,为您的下一代紧凑型电子设备注入强大而稳定的核心动力。

  • 型号:DDC114TH-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
  • 系列:*
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1):10 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 100A,1mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 频率 - 跃迁:250MHz
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • 想获取DDC114TH-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗?DDC114TH-7正是为您解忧的利器!这颗双NPN预偏置晶体管阵列,将两个高性能晶体管与精准的基极偏置电阻集成于微小的SOT-563封装内,让您轻松实现简洁、高效的电路设计。

它能为您做什么?它让您无需外部分立电阻,即可稳定驱动高达100mA的电流,承受50V电压,并以高达250MHz的带宽处理信号。无论是放大微弱的传感信号,还是作为高效的开关驱动,其优异的线性度和低饱和压降都能确保系统运行更稳定、能效更出色。

选择它,就是选择省心与可靠。它极大地简化了您的物料清单(BOM)和布局布线工作,显著提升生产一致性和产品可靠性,助您快速将精巧而强大的创意变为现实。

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