DMP2004K-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间和性能的平衡而烦恼？想象一下，一个仅SOT-23-3封装的微小身躯，却能稳健承载20V电压与600mA电流，为您的设备注入持久动力。这正是DMP2004K-7带来的革新体验。作为Diodes Incorporated精心打造的P通道MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

无论是需要高效电源路径管理的便携式设备，还是对空间极其敏感的物联网传感器模块，DMP2004K-7都能游刃有余。其低至900毫欧的导通电阻（在4.5V驱动下），意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接延长了电池的续航时间，让您的终端产品在市场中脱颖而出。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，无论是炎夏的户外设备还是寒冬的工业控制节点，都无需担忧。

选择DMP2004K-7，就是选择了一种高性价比的可靠承诺。它采用先进的MOSFET技术，在1.8V的低驱动电压下即可高效开启，完美适配现代低功耗微处理器的GPIO口，让您的系统设计更加简洁高效。其表面贴装型封装极大简化了生产流程，提升了组装密度。当您寻求稳定供应与专业的技术支持时，DIODES中国代理将是您值得信赖的伙伴，为您提供从选型到量产的一站式服务。让这颗高效、可靠、紧凑的芯片，成为您下一个爆款产品中不可或缺的“心脏”，驱动无限可能。

• 型号:DMP2004K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:550mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找一颗能完美平衡小体积与大功效的P通道MOSFET吗？DMP2004K-7正是为您而来。它能让您在仅有的SOT-23-3空间内，轻松实现高达20V、600mA的稳健电源开关与控制，显著优化PCB布局，为产品瘦身增能。

这颗芯片凭借其低至900毫欧的导通电阻和优异的开关特性，能大幅降低导通损耗与发热，直接提升您的系统能效与可靠性。无论是用于负载开关、电源隔离还是电机驱动，它都能让您的设计更加高效、运行更加稳定。选择它，就是为您的产品选择了一份从容与自信。