DMN6068SE-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键功率开关节点，既要承受高达60V的电压冲击，又要流畅地处理数安培的电流，同时还要将自身的能量损耗降到最低这听起来像是一个苛刻的挑战，但DMN6068SE-13正是为此而生的解决方案。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升系统整体效率、实现更紧凑、更可靠设计的得力助手。

这颗芯片的魅力，首先体现在它卓越的性能参数上。高达60V的漏源电压（Vdss）和4.1A的连续漏极电流能力，赋予了它应对主流DC-DC转换、电机驱动和负载开关应用的充足底气。而其真正的杀手锏，在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅有68毫欧。这意味着在导通状态下，电流流过它时产生的热量微乎其微，直接转化为更低的功率损耗和更凉爽的运行温度。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关速度，进一步减少了开关过程中的能量浪费，让您的电源系统从“耗能大户”转变为“节能标兵”。

无论是为便携设备设计的高效电池管理电路，还是工业控制中需要频繁启停的小型电机，亦或是通信设备里要求高可靠性的电源路径保护，DMN6068SE-13都能游刃有余。其SOT-223封装在提供优异散热能力的同时，保持了紧凑的占板面积，完美平衡了性能与空间的需求。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种严苛环境下都能稳定工作，极大提升了终端产品的耐用性和市场竞争力。

选择DMN6068SE-13，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的价值。它源自Diodes Incorporated的成熟技术平台，品质有保障。当您寻求稳定可靠的供应与专业的技术支持时，信赖专业的DIODES芯片代理将是您项目成功的有力后盾。这颗芯片不仅仅是一个元件，它更是您释放产品潜能、打造市场差异化优势的关键钥匙。立即将它纳入您的设计，亲身体验高效、冷静、可靠的功率开关解决方案所带来的变革性力量。

• 型号:DMN6068SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:502 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在寻找那颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关芯片吗？DMN6068SE-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V/4.1A的强劲处理能力，其核心价值在于超低的68毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用优化的MOSFET技术，具备快速的开关特性（低栅极电荷）和稳定的驱动性能，让您轻松实现精准的功率控制。无论是用于提升便携设备的续航，还是强化工业设备的可靠性，它都能出色完成任务。其坚固的SOT-223封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用场景下的长久稳定运行。

选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”，简化设计挑战，直接提升终端产品的市场竞争力。