DMHC6070LSD-13

在追求极致效率与紧凑设计的今天，您的下一个电机驱动或电源转换方案，是否还在为分立MOSFET的布局复杂和空间占用而烦恼？想象一下，将两个N通道和两个P通道MOSFET精妙集成于单一封装，实现完整的H桥拓扑，这不仅仅是元器件的简化，更是系统性能与可靠性的飞跃。现在，这一切由DMHC6070LSD-13为您实现。

这颗来自Diodes Incorporated的卓越芯片，以其60V的耐压能力和高达3.1A的连续漏极电流，为您的小型化、高效率应用注入强劲动力。其低至100毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是驱动微型直流电机实现精准控制，还是在便携设备的电源路径管理中实现高效切换，它都能游刃有余。其宽泛的-55°C至150°C结温工作范围，更是确保了在严苛环境下的稳定表现，让您的产品无惧挑战。

选择DMHC6070LSD-13，就是选择了一种更智能的工程哲学。它采用紧凑的8-SOIC封装，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加纤薄灵动。集成的H桥结构直接简化了外围电路设计，降低了BOM成本和组装复杂度，从而加速您的产品上市进程。更低的栅极电荷和输入电容，带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，整体系统效率得以显著提升。当您寻求可靠、高效且经济的MOSFET阵列解决方案时，它无疑是点亮您创意蓝图的关键组件。如需获取样品、技术支援或批量采购，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供全方位的服务。

从消费电子到工业控制，从智能家居到汽车电子，DMHC6070LSD-13所代表的高度集成与卓越性能，正在重新定义功率管理的可能性。它不仅仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。拥抱集成，选择高效，让您的下一个项目从一开始就站在更高的起点上。

• 型号:DMHC6070LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A，2.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:731pF @ 20V，618pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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还在为复杂的电机驱动电路头疼吗？DMHC6070LSD-13为您提供了一站式解决方案！这颗高度集成的MOSFET阵列，内部集成了2个N通道和2个P通道MOSFET，天然构成一个完整的H桥，让您轻松驱动直流电机或实现高效的负载开关控制，彻底告别分立器件布局的繁琐。

它拥有60V的耐压和最高3.1A的持续电流能力，结合低至100毫欧的导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的设备运行更高效、更凉爽。紧凑的8-SOIC表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，是追求小型化设计的理想选择。无论是电池供电的便携设备，还是需要可靠电源管理的工业模块，它都能让您的设计事半功倍，性能表现更加稳定出众。