DMP10H400SEQ-13

当您的电源管理设计需要在紧凑空间内实现高效能、高可靠性的开关控制时，您是否曾为寻找一颗兼具性能与成本优势的P沟道MOSFET而反复权衡？今天，我们将为您介绍一款能够完美平衡这些需求的明星产品DMP10H400SEQ-13。它不仅拥有100V的耐压能力和高达6A的连续漏极电流（Tc），更以卓越的导通电阻和快速开关特性，为您的系统注入强劲而稳定的动力核心。

想象一下，在工业自动化设备的电源路径保护中，或在消费电子产品的负载开关与电池管理电路里，一颗可靠的MOSFET就如同系统的“守门员”。DMP10H400SEQ-13正是为此而生。其P通道设计简化了负压开关逻辑，配合仅250毫欧@5A,10V的低导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效。无论是应对电机驱动中的瞬态冲击，还是确保便携设备在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，它都能游刃有余，让您的产品在可靠性与耐用性上脱颖而出。

选择DMP10H400SEQ-13，意味着您选择了一种经过市场验证的高价值解决方案。其SOT-223封装在提供出色散热能力（功率耗散高达13.7W Tc）的同时，保持了极小的占板面积，非常适合空间受限的现代电子设计。更低的栅极电荷（仅17.5nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这直接转化为更高效的系统和更长的电池续航。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，遍布全球的DIODES代理网络将是您坚实的后盾，确保您从样品获取到批量生产一路畅通。这不仅仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键伙伴。

• 型号:DMP10H400SEQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），13.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在为电源开关的效率与尺寸烦恼吗？DMP10H400SEQ-13 P沟道MOSFET就是您的高效答案。它能轻松担当您系统中关键的开关角色，凭借100V的耐压和高达6A的连续电流承载能力，确保功率路径安全可靠地通断。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其低至250毫欧的导通电阻大幅减少了功率损耗，而快速的开关特性（栅极电荷仅17.5nC）则提升了整体响应速度与能效。无论是用于负载开关、电池保护还是电机控制，它都能在紧凑的SOT-223封装内提供稳定的性能，助您打造更节能、更可靠的产品。