DMP1080UCB4-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而困扰？想象一下，一颗仅如米粒般大小、却能稳定承载3.3A电流的P沟道MOSFET，将如何彻底改变您的产品布局？答案就在DMP1080UCB4-7。这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，以其12V的耐压和仅80毫欧的超低导通电阻，为您打开了高效、可靠电源控制的新大门。它不仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

无论是需要精密电源管理的便携式消费电子，还是对空间极其敏感的物联网设备、可穿戴产品，DMP1080UCB4-7都能完美融入。其U-WLB1010-4超微型封装，让您在寸土寸金的PCB上获得前所未有的布局自由。在电池供电的场景中，其低至1.5V的驱动电压和微小的栅极电荷，意味着更低的开关损耗和更长的续航时间，让您的设备在静默中持久守护。从负载开关到电机驱动，从电源路径保护到信号切换，它都能以卓越的稳定性和效率，确保系统心脏的强劲跳动。

选择DMP1080UCB4-7，就是选择了一份从容与安心。它拥有宽达-55°C至150°C的工作结温范围，无惧严寒酷暑的挑战，保障设备在各种严苛环境下稳定运行。其优化的热性能设计，确保了在820mW的功率耗散下依然可靠。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES中国代理团队始终是您最坚实的后盾。我们提供的不仅仅是这颗高性能芯片，更是一整套助力您产品快速上市、赢得市场的解决方案。让DMP1080UCB4-7成为您设计中那颗最闪亮、最可靠的“心脏”，驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMP1080UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
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还在寻找一颗能兼顾小体积与大能量的功率开关吗？DMP1080UCB4-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有12V耐压和3.3A的连续电流能力，其核心魅力在于仅80毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的U-WLB1010-4超微型封装，为您节省宝贵的PCB空间，特别适合对尺寸有严苛要求的便携式和可穿戴设备。同时，其低至1.5V的驱动电压和极低的栅极电荷，让您能够轻松实现快速、高效的开关控制，有效延长电池寿命。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而精巧的“动力之心”。