DMNH4006SK3Q-13

您是否正在为汽车电子系统寻找一款能在高温高压环境下稳定运行，同时又能大幅提升能效的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一款专为严苛应用而生的明星产品DMNH4006SK3Q-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，凭借其卓越的性能参数，正在重新定义汽车级功率管理的标准。它不仅是一颗芯片，更是您提升产品可靠性、降低系统功耗、赢得市场竞争的关键钥匙。

想象一下，在引擎控制单元、LED驱动或DC-DC转换器中，DMNH4006SK3Q-13正以其高达40V的漏源电压和惊人的电流处理能力（20A Ta / 140A Tc）稳定工作。其极低的导通电阻（仅6毫欧@10V）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航。无论是应对-55°C的严寒还是175°C（TJ）的酷热，它都能游刃有余，确保您的设备在各种极端气候下稳定如一。这正是AEC-Q101汽车级认证所带来的品质承诺，让您的设计无惧任何挑战。

选择DMNH4006SK3Q-13，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（51nC）和输入电容特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，能显著减少开关损耗，让您的电源设计更加简洁高效。TO-252（D-Pak）封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容主流的表面贴装工艺，极大地方便了生产制造。当您需要可靠、高性能的汽车电子元件时，与专业的DIODES芯片代理合作，是确保您能及时获得这颗优质芯片并获取全面技术支持的最佳途径。让DMNH4006SK3Q-13成为您下一款成功产品的强大心脏，驱动创新，赢得未来。

• 型号:DMNH4006SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 86A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为功率转换效率低下和散热问题烦恼吗？DMNH4006SK3Q-13正是您期待的解决方案！这颗高性能N沟道MOSFET，专为要求严苛的汽车和工业应用而生，它能轻松担当起系统核心开关的角色。

凭借仅6毫欧的超低导通电阻，它能极大降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。高达40V的耐压和20A（Ta）/140A（Tc）的强大电流处理能力，确保它在马达驱动、电源管理等高负荷场景下游刃有余。其AEC-Q101认证和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），更是为您产品的长期可靠性和环境适应性提供了坚实保障。

选择它，就是选择让您的设计更高效、更可靠、更具竞争力。让DMNH4006SK3Q-13为您解锁更高性能的电源世界！