DMNH4004SPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在31V至40V的宽电压范围内稳定工作，同时将导通电阻和栅极电荷优化到新高度的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMNH4004SPS-13带来的核心价值它不仅仅是一个开关，更是您实现高效能、高可靠性的动力引擎。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车电子里对稳定性和温度范围都极为挑剔的负载开关应用，DMNH4004SPS-13都能游刃有余。其卓越的电气特性确保了在频繁开关状态下，能量损耗被降至最低，热量产生得到有效控制，从而让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久、寿命显著延长。这意味着，从工业自动化到消费电子，从通信基站到新能源领域，选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的“心脏”。

那么，在众多同类产品中，为何DMNH4004SPS-13能脱颖而出，成为工程师们的优选？答案在于它精准平衡了性能、尺寸与可靠性。采用先进的POWERDI506封装，它在提供出色散热能力的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度设计。其优化的动态参数意味着更快的开关速度和更低的驱动需求，让您的系统整体效率再上一个台阶。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，通过专业的DIODES代理商进行采购，不仅能确保原装正品，还能获得及时的应用指导，让从选型到量产的每一步都更加顺畅。选择DMNH4004SPS-13，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个值得信赖的解决方案伙伴，助您在激烈的市场竞争中率先抵达终点。

• 型号:DMNH4004SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2284 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMNH4004SPS-13正是为您破解这一难题的利器。这颗来自Diodes Incorporated的MOSFET，拥有31V至40V的宽泛BVDSS范围，让您在设计高压侧或低压侧开关时拥有更大的灵活性。

它的核心使命，是让您的系统运行得更“轻松”且“高效”。通过显著降低导通电阻和栅极电荷，它能大幅削减开关过程中的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效。这意味着，无论是提升电源适配器的轻载效率，还是增强电机驱动的爆发力，它都能让您的产品性能脱颖而出，同时简化您的热管理设计。