DMN2016LHAB-7

想象一下，在您精心设计的便携设备中，电源管理模块的尺寸每缩小一毫米，都能为电池容量或更多功能腾出宝贵空间。这正是DMN2016LHAB-7双N沟道MOSFET阵列所带来的核心价值它用极致的微型化封装，释放了您产品的无限潜能。这款来自Diodes Incorporated的明星产品，不仅仅是一个电子元件，更是您实现高密度、高效率设计的得力助手。

无论是智能手机中需要快速响应的负载开关，还是平板电脑里负责精准供电的DC-DC转换器同步整流，甚至是超薄型笔记本电脑中空间极其有限的电源路径管理，DMN2016LHAB-7都能游刃有余。其逻辑电平门驱动特性，意味着它能与当今主流的低电压微处理器和控制器无缝对话，直接由3.3V或5V逻辑信号轻松驱动，省去了繁琐的电平转换电路，让您的系统设计更加简洁高效。在无人机、可穿戴设备等对重量和体积锱铢必较的应用中，它的优势更是被放大到极致。

选择DMN2016LHAB-7，就是选择了一种更智能的设计哲学。它高达7.5A的连续漏极电流承载能力和低至15.5毫欧的导通电阻，确保了在高效传输电能的同时，将功率损耗和发热降至最低，直接提升了终端产品的续航时间和可靠性。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品应对各种严苛环境挑战的底气。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，通过正规的DIODES授权代理进行采购，不仅能保证芯片的原装正品与稳定供应，更能获得专业的技术支持，让您的产品从蓝图到量产一路畅行。让这颗高度集成的芯片，成为您下一款惊艳市场的产品中，那个虽小却至关重要的强大心脏。

• 型号:DMN2016LHAB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.5 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
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还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN2016LHAB-7双N沟道MOSFET阵列就是为您的高密度设计而生。它能在仅有的6-UDFN超薄封装内，为您提供两个独立的逻辑电平MOSFET，让您轻松实现高效的负载切换、电源路径管理和同步整流功能，彻底解放您的布局空间。

这颗芯片能为您做什么？它让您用最简单的驱动电路（最低仅需1.1V的门槛电压）就能精准控制高达7.5A的电流通路。其极低的导通电阻（典型值）意味着更少的能量损耗和发热，直接提升您产品的整体能效与可靠性。无论是便携设备的电池管理，还是紧凑型电源模块的设计，DMN2016LHAB-7都能以卓越的性能和微小的占位，助您打造出更轻薄、更持久、更具竞争力的终端产品。