DMNH10H028SPS-13

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和热管理问题而困扰？当系统需要在高频下稳定处理大电流时，一个微小的导通电阻差异就可能导致整体效率的巨大鸿沟。今天，我们为您带来一个能彻底改变游戏规则的解决方案DMNH10H028SPS-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其惊人的28毫欧超低导通电阻（在20A，10V条件下）和高达40A的连续漏极电流承载能力，为您的高性能应用铺平了道路。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高效、低温、可靠运行的能量枢纽。

想象一下，在您的服务器电源单元中，它如何以极低的损耗处理主功率转换，将更多电能输送给计算核心而非转化为热量；在新能源车的车载充电器或DC-DC转换模块里，它如何凭借100V的漏源电压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），从容应对复杂的电气环境和严苛的温度挑战。无论是工业电机驱动、不间断电源系统，还是高密度LED照明驱动，DMNH10H028SPS-13都能无缝融入，成为提升整机效率和功率密度的核心动力。其PowerDI5060-8封装专为优化散热和节省空间设计，让您在紧凑的PCB布局中也能释放强大的功率处理能力。

选择DMNH10H028SPS-13，就是选择了一份对性能和可靠性的坚定承诺。它意味着您可以用更少的器件实现更高的输出，通过降低导通损耗直接提升系统能效，满足日益严格的能效标准。同时，其优化的栅极电荷（仅36nC @ 10V）确保了快速、干净的开关特性，进一步减少了开关损耗，让高频操作游刃有余。这意味着更低的系统总成本、更长的产品寿命以及更卓越的终端用户体验。要获得这颗性能尖兵的正品保障与专业的技术支持，请务必通过官方授权的DIODES代理进行采购。立即行动，让DMNH10H028SPS-13为您的下一个设计注入高效与可靠的基因，共同迈向能源利用的新高度。

• 型号:DMNH10H028SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2245 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“心脏”吗？DMNH10H028SPS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达40A的电流处理能力，而其核心魅力在于仅28毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流开关或电机控制应用中，它能大幅减少能量损耗，将更多电力转化为有效输出，而非令人头疼的热量，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为挑战而生。无论是严苛的工业环境还是紧凑的消费类电源，其PowerDI5060-8表面贴装封装都提供了卓越的散热性能和空间利用率。极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，让您轻松实现高频设计，提升功率密度。选择DMNH10H028SPS-13，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的动力核心，助您轻松突破性能瓶颈，打造更具市场竞争力的解决方案。