DMTH6016LPDQ-13

在追求极致能效的汽车电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受严苛环境，又能提供卓越功率密度的双通道MOSFET而困扰？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMTH6016LPDQ-13。这款来自Diodes Incorporated的明星产品，专为满足AEC-Q101汽车级标准而生，它不仅是一颗元器件，更是您提升系统可靠性、简化设计流程的强大引擎。

想象一下，在引擎控制单元、LED照明驱动或DC-DC转换器中，DMTH6016LPDQ-13正以其双N通道架构高效运作。其60V的漏源电压和高达33.2A（Tc）的连续漏极电流能力，为您的功率路径提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，它在10A电流、10V栅极电压下，导通电阻低至仅19毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，让每一分电能都物尽其用。无论是应对-55°C的严寒还是175°C（TJ）的高温节点，它都能稳定如初，确保您的产品在任何极端气候下都值得信赖。

选择DMTH6016LPDQ-13，就是选择了一种面向未来的设计思路。其小巧的8-PowerTDFN封装在节省宝贵PCB空间的同时，通过优化的热设计实现了高达37.5W（Tc）的功率耗散能力。极低的栅极电荷（17nC @ 10V）和输入电容，让开关速度更快，驱动更轻松，显著降低了开关损耗，特别适合高频应用。当您需要可靠、高效且符合汽车级品质的MOSFET阵列时，DIODES中国代理将是您获取这颗强大芯片、获得本地化技术支持的理想伙伴。它不仅仅是一个组件，更是您打造更强劲、更可靠、更具市场竞争力的汽车电子产品的秘密武器。

• 型号:DMTH6016LPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta），33.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.5W（Ta），37.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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还在为复杂的双MOSFET选型而犹豫吗？让DMTH6016LPDQ-13为您简化一切！这颗符合AEC-Q101标准的汽车级双N通道MOSFET，集高效能与高可靠性于一身，旨在让您的设计脱颖而出。

它拥有60V的耐压和高达33.2A的电流承载能力，配合低至19毫欧的导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，提升整体能效。其优异的开关特性（栅极电荷仅17nC）让您轻松实现高速开关控制，而宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）则确保了在极端环境下的稳定运行。选择它，就是为您的汽车电子应用注入一颗强劲而可靠的心脏。