DMN95H8D5HCT

当您的电源设计需要面对高达950V的严苛电压环境时，如何确保核心开关器件既稳定可靠，又能实现高效的能量转换？答案就蕴藏在DMN95H8D5HCT这颗高性能N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个半导体开关，更是您构建坚固、高效电力系统的基石，其卓越的耐压能力和优化的动态特性，让它在众多同类产品中脱颖而出，直接为您的终端产品注入持久动力与市场竞争力。

想象一下，在工业级开关电源、电机驱动控制器或是不间断电源（UPS）系统中，DMN95H8D5HCT正发挥着核心作用。它高达950V的漏源击穿电压，为应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰提供了充裕的安全余量，极大提升了系统的可靠性与寿命。同时，其仅7欧姆的导通电阻（在1A，10V条件下）意味着更低的传导损耗，配合7.9nC的低栅极电荷，实现了快速开关与低开关损耗的完美平衡。这直接转化为更低的系统温升、更高的整体能效，以及更紧凑的散热设计，让您的设备在长时间满负荷运行时依然冷静从容。

选择DMN95H8D5HCT，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺与性能保障。它采用经典的TO-220AB封装，不仅便于安装和散热，其宽达-55°C至150°C的结温工作范围，更能轻松应对极端环境挑战。无论是为了提升现有产品的能效等级，还是开发面向工业、能源领域的新一代高可靠性设备，这颗芯片都是您值得信赖的伙伴。如需获取样品、技术资料或批量采购，我们的授权DIODES代理商网络将为您提供全面专业的本地化支持，确保您从研发到量产的每一步都顺畅无阻。立即采用DMN95H8D5HCT，开启高效、可靠的电源设计新篇章。

• 型号:DMN95H8D5HCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:470 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB（TH 型）
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为高压应用中的开关器件选型而犹豫吗？DMN95H8D5HCT正是为您的高要求设计而来。这颗950V耐压、2.5A电流能力的N沟道MOSFET，核心使命就是让您在构建AC-DC电源、电机驱动或功率转换电路时，获得坚固可靠的高压开关解决方案。

它凭借优化的7欧姆导通电阻和仅7.9nC的低栅极电荷，能显著降低您的系统导通与开关损耗，从而提升整体能效，让设备运行更凉爽、更高效。其TO-220AB封装和125W的强大功率处理能力，让散热设计变得更为轻松。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的性能基石。