DMP2035UTS-13

您是否正在寻找一款能够显著提升电源管理效率，同时又能节省宝贵PCB空间的双通道MOSFET解决方案？想象一下，在紧凑的消费电子设备内部，既要保证强劲的功率处理能力，又要应对散热挑战，传统的分立方案往往捉襟见肘。现在，DMP2035UTS-13的出现，完美地解决了这一矛盾，它将两个高性能的P沟道MOSFET集成在一个微小的封装内，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。

这款芯片的核心魅力在于其卓越的性能参数。它拥有低至35毫欧的导通电阻（RDS(on)），在4.5V的驱动电压下就能轻松驾驭高达6.04A的连续电流。这意味着更低的导通损耗和发热量，直接转化为更高的系统效率和更长的设备续航时间。其逻辑电平门驱动特性（Vgs(th)最大仅1V）使其能够与大多数现代微控制器和低压逻辑电路无缝对接，无需复杂的电平转换电路，简化了您的设计，加速了产品上市进程。无论是用于智能手机中的负载开关、电池保护电路，还是平板电脑、便携式游戏机中的电源路径管理，DMP2035UTS-13都能游刃有余，确保电能被高效、精准地输送到每一个需要它的角落。

当您的设计面临空间极限挑战时，它的价值更加凸显。采用紧凑的8-TSSOP封装，宽度仅4.4毫米，这款双MOSFET阵列比使用两个分立器件节省了超过50%的板面积。节省下来的每一平方毫米，都可以用来增加电池容量、集成更多传感器，或者干脆让产品变得更轻薄时尚。这种高集成度不仅优化了布局，还减少了元件数量和贴装成本，提升了生产良率。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对各种严苛环境的能力，无论是炎夏户外的智能穿戴设备，还是冬季严寒中的工业数据采集模块，它都能稳定工作，成为您产品可靠性的坚实基石。

选择DMP2035UTS-13，就是选择了一种更智能、更经济的电源管理策略。它不仅仅是两个MOSFET的简单叠加，而是经过精心优化和验证的系统级解决方案。它让您摆脱了在性能、尺寸和成本之间艰难权衡的困境，直接迈向更高层次的产品竞争力。如果您希望立即为您的下一代便携式设备注入高效、紧凑的“芯”动力，请联系专业的DIODES代理商，获取样品、技术资料和全方位的设计支持，让这款强大的芯片为您开启创新之旅。

• 型号:DMP2035UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 P 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.04A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1610pF @ 10V
• 功率 - 最大值:890mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 想获取DMP2035UTS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

在追求极致能效和迷你化的今天，您的便携设备是否还在为笨重的电源管理模块而烦恼？DMP2035UTS-13正是为您量身打造的答案。这颗由Diodes Incorporated出品的双P沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平门驱动的强大开关，让您能以极低的导通损耗（仅35毫欧）高效控制高达6A的电流，显著减少能量浪费，提升设备续航。

它采用超紧凑的8-TSSOP封装，能为您节省超过一半的PCB空间，让设计更自由，产品更轻薄。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，您就获得了一个高集成度、高可靠性的电源管理核心，轻松应对从消费电子到工业控制的各种挑战。