DMN67D8LW-13

当您需要一款能在紧凑空间内稳定处理60V电压的N沟道MOSFET时，是否常常在性能与体积之间难以抉择？现在，答案来了。DMN67D8LW-13正是为破解这一难题而生。这款来自Diodes Incorporated的卓越产品，以其SOT-323的超小封装，实现了高达240mA的连续漏极电流和仅5欧姆的低导通电阻，为您带来前所未有的高密度与高效率的完美融合。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器的精密电路中，每一毫米的PCB空间都价值千金。DMN67D8LW-13的微型化设计让您能轻松布局，为更多功能模块腾出宝贵空间。其宽泛的-55°C至150°C工作温度范围，确保了无论是在严寒户外还是高温机箱内，都能稳定可靠地执行开关、负载驱动或信号调理任务。选择它，意味着为您的产品注入了从消费电子到工业控制等多场景应用的强大适应力。

为何众多工程师在关键时刻信赖这款芯片？因为它精准击中了设计的核心痛点。极低的栅极电荷（仅0.82nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统整体能效。5V的低驱动电压门槛，使其能与多种微控制器直接兼容，简化了您的电路设计，加速了产品上市进程。当您通过值得信赖的DIODES芯片代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个优质元件，更是一份让设计更简洁、性能更出众、生产更顺畅的保障。让DMN67D8LW-13成为您下一个爆款产品的坚实基石，开启高效可靠的新篇章。

• 型号:DMN67D8LW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在为寻找一颗体积小巧却性能强劲的功率开关而烦恼吗？DMN67D8LW-13正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET能在仅SOT-323的微型封装内，为您轻松驾驭高达60V的电压和240mA的电流，其低至5欧姆的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它专为简化您的设计而生。仅需5V的驱动电压即可高效导通，让您能无缝对接大多数微控制器，省去复杂的驱动电路。同时，极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，无论是用于电源管理、负载开关还是信号切换，都能让您的系统反应敏捷，性能出众。选择DMN67D8LW-13，就是选择了一种让设计更精简、让产品更可靠的智能方案。