DMN62D0LFD-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一颗能在紧凑空间内稳定工作、同时兼顾出色开关性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的可靠答案DMN62D0LFD-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，虽然已进入停产生命周期，但其卓越的性能和广泛的适用性，使其在特定应用和库存支持项目中依然闪耀着不可替代的价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您优化电路设计、提升产品可靠性的得力助手。

想象一下，在那些对空间极其敏感的便携式设备、智能穿戴产品的电源管理模块中，或者在需要高效信号切换的通信接口电路里，DMN62D0LFD-13都能凭借其经典的SOT23封装和稳定的MOSFET特性，轻松融入您的设计蓝图。它擅长于低电压、小电流场景下的高效开关与控制，无论是作为负载开关、电平转换，还是电机驱动电路中的关键一环，都能确保系统运行流畅、响应迅速。对于那些寻求成熟、稳定方案来维护或升级现有产品线的工程师而言，这颗芯片意味着风险更低、集成更快的开发路径。

选择DMN62D0LFD-13，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。它的价值在于其背后Diodes品牌一贯的高品质标准，以及在全球众多成功产品中积累的实战口碑。虽然原厂已停产，但通过可靠的DIODES代理渠道，您依然可以获取到有保障的库存，为您的生产连续性保驾护航。这避免了重新设计、重新验证新器件所带来的额外成本与时间延误，让您能够更专注于产品核心功能的创新与优化。在电子元器件的长河中，经典永存，DMN62D0LFD-13正是这样一颗能够助您稳固基石、从容应对挑战的经典之选。

• 型号:DMN62D0LFD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH X1-DFN1212-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• 想获取DMN62D0LFD-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

当您的设计需要一颗小巧却可靠的“电子开关”时，DMN62D0LFD-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET采用经典的SOT23封装，专为空间受限的便携式设备和精密电路板而优化，让您轻松实现高效的电源管理与信号路径控制。

它能够帮助您精准地开关电路，管理功率流向，在电池供电设备、智能传感器模块或各类接口电路中发挥关键作用。选择它，意味着您选择了一个久经考验的成熟方案，能显著降低设计风险，加速产品开发进程，让您的项目高效、稳定地向前推进。