DMN60H080DS-7

在追求极致能效与可靠性的高压开关应用中，您是否曾为寻找一款体积小巧却性能强悍的功率器件而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍DMN60H080DS-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和精巧的SOT-23-3封装，正在重新定义小尺寸功率管理的可能性。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现高效、紧凑设计的秘密武器，让高压领域的能量控制变得前所未有的轻松与可靠。

想象一下，在那些空间极其宝贵的应用场景中，比如智能家居的辅助电源、工业传感器的隔离接口，或是LED照明驱动器的关键开关位置，DMN60H080DS-7都能大显身手。它高达600V的漏源电压（Vdss）为您提供了充足的安全余量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而其仅80mA的连续漏极电流与低至1.7nC的栅极电荷，意味着它在处理中小功率信号时效率极高，开关速度快，自身损耗极低，能显著提升系统整体能效，并减少发热，让您的产品运行更凉爽、更持久。

选择DMN60H080DS-7，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的技术保障与设计自由度。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了无论是在严寒还是酷热的环境下，性能都始终如一。其表面贴装形式完美适配现代自动化生产流程，能有效降低您的组装成本。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES芯片代理服务网络随时待命，为您提供从选型到量产的全方位支持。让这颗高效、可靠、小巧的功率之星，成为您下一个创新产品中不可或缺的核心动力，助力您的设计在竞争中脱颖而出。

• 型号:DMN60H080DS-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 欧姆 @ 60mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时又能节省宝贵电路板空间的解决方案吗？DMN60H080DS-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的耐压能力，让您在设计辅助电源、信号隔离或LED驱动时充满信心，无需担心电压应力问题。

它采用超紧凑的SOT-23-3封装，却蕴含着高效的能量控制核心。其低栅极电荷和快速的开关特性，能让您的系统实现高效的电能转换，减少能量损耗。宽广的工作温度范围确保它在各种严苛环境下稳定运行，为您产品的可靠性与耐用性保驾护航。