DMN3401LDW-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为空间受限却需要高可靠性的双路开关方案而烦恼？想象一下，一个微型封装内集成了两个性能卓越的N沟道MOSFET，不仅大幅节省了宝贵的PCB空间，更能让您的系统运行如丝般顺滑。这正是DMN3401LDW-13为您带来的核心价值它将高性能与微型化完美融合，是推动紧凑型设备迈向更高效率的隐形引擎。

这款来自Diodes Incorporated的双MOSFET阵列，凭借其30V的漏源电压和800mA的连续漏极电流能力，在各类便携式和空间敏感型应用中大放异彩。无论是智能手机中复杂的电源管理路径切换，还是可穿戴设备里精细的传感器供电控制，亦或是IoT模块中需要高效节能的信号开关，它都能游刃有余。其低至400毫欧的导通电阻意味着更少的能量损耗在发热上，更多的电能用于驱动您的核心功能，直接转化为更长的电池续航和更冷静的系统运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

那么，在众多同类器件中，为何DMN3401LDW-13能脱颖而出，成为工程师们的信心之选？答案在于其精妙的平衡艺术。它在1.6V的低阈值电压与快速的开关特性（仅1.2nC栅极电荷）之间取得了绝佳平衡，既确保了与低电压微控制器的轻松兼容与高效驱动，又最大限度地降低了开关损耗。同时，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品从严寒到酷暑的稳定表现。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的DIODES一级代理身份确保了正品供应与全程服务，让您的选型毫无后顾之忧。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的得力伙伴。

• 型号:DMN3401LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 15V
• 功率 - 最大值:290mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在寻找一颗能同时搞定两路高效开关，且体积小巧的“全能选手”吗？DMN3401LDW-13正是为您而来！这颗双N沟道MOSFET阵列，能轻松承载高达800mA的电流，并以低至400毫欧的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的便携设备续航更持久，运行更清凉。

它拥有30V的耐压和优异的开关性能（栅极电荷仅1.2nC），让您能高效、快速地控制电源或信号通路。无论是用于电池管理、负载开关还是信号隔离，它都能出色完成任务。其SOT-363超小封装，为您在寸土寸金的PCB上节省出宝贵空间，是设计紧凑型消费电子和IoT设备的理想选择。