DMN63D1LW-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在为寻找一款既能承受60V高压，又能在微小空间内稳定驱动负载的可靠开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍DMN63D1LW-13，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对高性能与小尺寸的双重渴望而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您产品实现高效、可靠运行的强大心脏。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密传感器模块中，DMN63D1LW-13正悄然发挥着关键作用。其高达60V的漏源电压和380mA的连续漏极电流，让它轻松应对各种中等功率的开关与控制任务。无论是管理锂电池组的充放电通路，还是在空间受限的物联网节点中精准切换信号，它都能以极低的导通电阻（仅2欧姆@10V）确保能量损耗最小化，将更多电能转化为有效功，直接延长终端产品的续航时间。其卓越的栅极电荷特性（仅0.3nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，运行更清凉。

选择DMN63D1LW-13，就是选择了一份从容与安心。它采用行业标准的SOT-323封装，在提供出色散热性能（310mW功耗）的同时，极大地节省了宝贵的PCB空间，为您的产品小型化设计铺平道路。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛环境下依然稳定如一，从酷热的汽车电子舱到寒冷的户外监测设备，都能胜任。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，请认准官方授权的DIODES一级代理，他们将为您提供从选型到量产的全链路保障。让这颗集高效、紧凑、可靠于一身的MOSFET，成为您下一款明星产品中不可或缺的卓越之选。

• 型号:DMN63D1LW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:30 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在为电路中的开关效率与空间布局纠结吗？DMN63D1LW-13就是为您量身定制的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达60V的电压和380mA的电流，以其仅2欧姆的低导通电阻，显著降低开关过程中的能量损耗，让您的设备运行更高效、更持久。

它采用微小的SOT-323封装，能完美融入空间紧张的便携式设备、电池保护板或传感器模块中，帮助您实现更紧凑的产品设计。同时，其优异的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，让您的系统控制响应更加灵敏精准。选择它，就是选择了一个让设计更简单、性能更出色的可靠伙伴。