DMN4060SVT-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而苦恼？想象一下，一颗仅TSOT-26封装的芯片，却能稳健承载45V电压与4.8A电流，将功率损耗降至新低这正是DMN4060SVT-7为您带来的现实突破。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是工程师手中实现高密度、高效率设计的秘密武器。

无论是快速发展的便携式设备、需要精密控制的电机驱动，还是对可靠性要求严苛的汽车电子与工业电源，DMN4060SVT-7都能游刃有余。其低至46毫欧的导通电阻，意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率，让您的产品在激烈竞争中脱颖而出，拥有更长的运行时间和更稳定的表现。当您需要一位值得信赖的伙伴来确保供应链稳定与技术支持时，选择专业的DIODES代理至关重要，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。

选择DMN4060SVT-7，就是选择了一种更明智的设计哲学。它继承了Diodes Incorporated一贯的高品质与可靠性，在-55°C至150°C的宽广温度范围内性能始终如一。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速开关与低驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效大幅提升。这颗芯片的价值，在于它用微小的身躯释放巨大的能量，帮助您简化设计、降低成本，并最终打造出更强大、更受市场欢迎的产品。

• 型号:DMN4060SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:45 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:46 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 想获取DMN4060SVT-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、同时节省宝贵电路板空间的MOSFET？DMN4060SVT-7正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有45V的漏源电压和4.8A的连续漏极电流能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻（仅46毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

得益于其TSOT-26超小封装和优化的栅极特性，它能轻松集成到空间受限的便携式设备、电机驱动模块或DC-DC转换器中。它不仅让您的设计更加紧凑，更能通过快速开关和低功耗表现，全面提升终端产品的性能与续航。选择DMN4060SVT-7，就是为您的下一个项目注入高效可靠的核心动力。