DMN61D9UW-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中等功率、同时保持快速响应的关键开关器件而烦恼？现在，答案来了。让我们向您隆重介绍DMN61D9UW-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为破解此类设计难题而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的秘密武器。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或是精密的物联网传感器模块中，DMN61D9UW-13正悄然发挥着核心作用。其60V的漏源电压和340mA的连续漏极电流能力，为电路提供了坚实可靠的保护屏障，让您的产品在面对电压波动时依然稳如磐石。而低至1.8V的驱动电压门槛，意味着它能够轻松被微控制器等低功耗逻辑电路直接驱动，极大地简化了您的系统设计，减少了外围元件，直接为您节省了宝贵的PCB空间和物料成本。这种高效集成，让设计变得更简洁，性能却更出众。

选择DMN61D9UW-13，就是选择了一份放心的保障与卓越的价值。它采用先进的MOSFET技术，在5V驱动下导通电阻最大值仅为2欧姆，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了整机能效和可靠性。其超低的栅极电荷（0.4nC）和输入电容（28.5pF），确保了开关速度极快，响应异常灵敏，特别适合需要高频开关的应用场景，让您的产品反应更快、运行更流畅。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，赋予了它应对各种严苛环境挑战的强悍能力，无论是冰天雪地还是炎热工况，都能持续稳定工作。这颗采用SOT-323封装的小巧芯片，以其微小的身躯承载着巨大的能量，是空间受限型应用的理想选择。当您需要可靠、高效的电源管理或信号切换解决方案时，联系专业的DIODES代理商，获取DMN61D9UW-13，无疑是推动项目成功、打造市场爆款的关键一步。

• 型号:DMN61D9UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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您正在设计需要高效、紧凑型开关解决方案的产品吗？DMN61D9UW-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松担当起电路中的关键开关角色，其60V的耐压和340mA的电流处理能力，让您在中低功率应用中游刃有余，为您的设计提供稳定可靠的核心保障。

更令人心动的是，它仅需1.8V的低电压即可高效驱动，完美适配现代低功耗微处理器，让您的系统设计变得异常简洁。极低的导通电阻和栅极电荷，意味着更少的能量损耗和更快的开关速度，直接助力您的产品提升能效，反应更迅捷。无论是便携设备、电池供电模块还是各种智能控制单元，选择它，就是选择了一条通往高性能与高可靠性的捷径。