DMN4036LK3Q-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在31V至40V电压区间内稳定工作，同时承载高达12.2A连续电流的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局？这正是DMN4036LK3Q-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的得力引擎。其卓越的电气特性，意味着在开关电源、电机驱动等关键应用中，它能实现更快的切换速度与更低的导通损耗，直接转化为更高的整体效率和更长的设备运行时间。

无论是紧凑型笔记本电脑的DC-DC转换器，还是无人机中需要精准控制的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中的负载开关，DMN4036LK3Q-13都能游刃有余。它采用可靠的表面贴装TO-252封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的热性能更能确保在高负载下持续稳定工作，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的可靠性和能效脱颖而出。当您需要为高功率密度设计寻找一颗“心脏”级的开关器件时，它无疑是连接理想设计与现实产品之间最坚固的桥梁。

选择DMN4036LK3Q-13，就是选择了一份由Diodes Incorporated品质背书的信心。其“有源”的产品状态保证了长期稳定的供应，让您的量产计划无后顾之忧。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES中国代理合作，您不仅能获得正品保障与有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持与供应链服务，确保从研发到生产的每一个环节都顺畅高效。这颗芯片的价值，远超出其本身的参数，它代表了一种更智能、更可靠的解决方案，助力您的产品在性能与成本之间找到最佳平衡点，最终赢得市场的青睐。

• 型号:DMN4036LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:453 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗既能承受高电流又具备出色开关性能的MOSFET而烦恼吗？DMN4036LK3Q-13正是为您的高要求应用而生。它能让您在31V至40V的电压范围内，轻松驾驭高达12.2A的连续电流，显著降低导通电阻带来的功率损耗，从而提升整个系统的能源利用效率。

这颗芯片的核心使命，就是让您的电源转换或电机控制设计变得更简单、更高效。其表面贴装形式简化了生产流程，而稳健的性能则确保了产品长期运行的可靠性。选择它，意味着您选择了一个经过验证的、能够直接提升终端产品竞争力的高性能解决方案。