DMN2028USS-13

想象一下，在您紧凑的电路板上，一个关键开关元件不仅需要高效控制电流，还要在严苛环境下保持稳定这正是DMN2028USS-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的N沟道MOSFET，这颗芯片以20V漏源电压和7.3A连续漏极电流的强劲性能，重新定义了小型化电源管理的可能性。其低至20毫欧的导通电阻意味着更少的能量损耗，而1.5V的低驱动电压让您的系统即使在微弱的控制信号下也能迅速响应，这一切都封装在仅8-SO的微型身躯里，为您的设计释放出宝贵的空间。

无论是便携式设备的电池保护电路，还是智能家居中的电机驱动模块，DMN2028USS-13都能游刃有余。它的工作温度横跨-55°C至150°C，确保从极寒户外到高温机箱内部都能稳定运行。当您需要快速切换负载时，仅11.6nC的低栅极电荷大幅降低了开关损耗，让系统整体效率显著提升。这意味着您的产品不仅能延长续航时间，还能减少散热需求，从而简化结构设计并降低综合成本。

选择DMN2028USS-13的理由远不止参数本身。它代表着在性能与尺寸之间取得的完美平衡，让工程师无需在功率密度和可靠性之间妥协。这颗芯片采用成熟的表面贴装工艺，兼容自动化生产流程，能有效加速您的产品上市周期。当您需要可靠的原厂供应链支持时，遍布全球的DIODES代理商网络将确保您随时获得正品器件和技术协助。从原型验证到批量生产，DMN2028USS-13始终是您值得信赖的合作伙伴，助力您的创新想法转化为市场领先的产品。

• 型号:DMN2028USS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
• 想获取DMN2028USS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一款既小巧又强效的功率开关而烦恼吗？DMN2028USS-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达7.3A的连续电流，凭借其卓越的20毫欧低导通电阻，它能显著减少开关过程中的能量损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它专为空间受限的高性能应用而生，1.5V的低阈值驱动电压让您能用微控制器直接控制，简化电路设计。无论是快速切换的DC-DC转换器，还是精密的负载开关，DMN2028USS-13都能提供稳定可靠的性能，助您轻松打造出更具竞争力的电子产品。