ZXM62N03GTA

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为功率器件的体积与性能而妥协？想象一下，一个仅SOT-223封装的器件，却能轻松驾驭高达4.7A的连续电流，同时将导通电阻压至仅110毫欧这并非遥不可及，ZXM62N03GTA正是为此而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其30V的耐压和卓越的开关特性，正在重新定义中小功率应用的性能边界。

无论是需要高效DC-DC转换的便携式设备，还是对空间极其敏感的物联网模块，或是要求快速响应的电机驱动单元，ZXM62N03GTA都能无缝融入。其低至1V的栅极阈值电压，意味着它能在更低的驱动电压下迅速开启，显著降低栅极驱动电路的复杂度和功耗；而极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），则确保了超快的开关速度，有效减少开关损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，更是为产品在各种严苛环境下的可靠性提供了坚实保障。

选择ZXM62N03GTA，您选择的不仅仅是一个高性能的MOSFET，更是一套经过市场验证的、能直接提升终端产品竞争力的解决方案。它帮助您简化设计、缩小PCB面积、提升能效，最终加快产品上市速度。当您需要为这样的优质元器件寻找稳定可靠的供应渠道时，专业的DIODES代理商将是您值得信赖的合作伙伴，他们不仅能提供正品保障，还能给予及时的技术与供应链支持。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能指标，依然使其成为许多经典或特定需求项目中极具价值的选择，值得在库存允许的情况下纳入您的备选清单。

• 型号:ZXM62N03GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta），4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在寻找一款能在紧凑空间内实现高效功率切换的“得力干将”吗？ZXM62N03GTA正是您的理想之选。这款N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和高达4.7A（Tc）的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅110毫欧@10V）和栅极电荷，这意味着它能显著降低导通与开关损耗，让您的电源转换或负载开关电路运行得更凉爽、更高效。

它采用易于焊接的SOT-223表面贴装封装，能帮您最大化节省宝贵的PCB空间。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是作为负载开关实现系统的节能管理，ZXM62N03GTA都能让您轻松应对。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现，是打造高可靠性产品的坚实基石。