DMN4030LK3-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？今天，我们为您带来一款能够显著提升系统效率的解决方案DMN4030LK3-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正在重新定义中低压、大电流应用的可能性。想象一下，在您的电源管理、电机驱动或负载开关电路中，一颗芯片就能带来更低的导通损耗、更快的开关速度和更稳定的热表现，这不仅仅是参数的提升，更是产品竞争力的飞跃。

无论是需要高效DC-DC转换的服务器电源，还是对响应速度有严苛要求的电动工具电机驱动，亦或是空间紧凑的便携式设备负载开关，DMN4030LK3-13都能游刃有余。它40V的漏源电压和9.4A的连续漏极电流，为各种中功率应用提供了坚实的保障。其核心魅力在于那低至30毫欧的导通电阻（在12A，10V条件下），这意味着在导通状态下，能量以更少的热量形式被浪费，更多的功率被有效传递到负载，直接帮助您的终端产品实现更长的续航、更低的温升和更高的可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

那么，为什么众多工程师在面临选型时，会倾向于DMN4030LK3-13？答案在于它精准的性能平衡与易用性。4.5V的低驱动电压门槛，让它可以轻松兼容多种控制逻辑，简化驱动电路设计。同时，其优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速的开关瞬态响应，这对于提升开关频率、减小无源器件尺寸至关重要。采用TO-252-3（DPAK）封装，不仅提供了良好的散热能力，其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产工艺。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能依然在众多经典和延续性项目中发挥着关键作用。为确保您能获得可靠的正品供应与技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目顺利推进的坚实后盾。让这颗历经市场验证的芯片，成为您打造高效、可靠产品的秘密武器。

• 型号:DMN4030LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:604 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？DMN4030LK3-13正是为您的中功率应用量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和9.4A的连续电流能力，其最突出的亮点在于极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它能让您轻松驾驭电源转换、电机控制等场景。优化的栅极特性确保了快速、干净的开关动作，帮助您提升整体响应速度并简化驱动设计。采用坚固的TO-252-3封装，提供了出色的功率处理能力和散热性能，是您构建紧凑、高效且耐用产品的理想选择。