ZXMP10A17GTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款兼具高耐压与低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案ZXMP10A17GTA。这款来自Diodes Incorporated的明星产品，以其100V的坚固耐压和仅为350毫欧的出色导通电阻，重新定义了功率开关的性能标杆，让您的系统在高效与可靠之间取得完美平衡。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制或是负载开关电路中，一颗小巧的芯片正默默承担着关键的通断职责。ZXMP10A17GTA正是为此而生。它卓越的-10V栅极驱动兼容性和低至10.7nC的栅极电荷，意味着它能够被轻松驱动，实现快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗和电磁干扰。无论是需要高效节能的消费类电子产品，还是要求稳定可靠的工业控制设备，它都能无缝融入，成为提升整体性能的“隐形冠军”。

选择ZXMP10A17GTA，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一份对设计成功的有力保障。其紧凑的SOT-223封装在节省宝贵PCB空间的同时，也提供了优异的散热性能。尽管该型号已进入停产状态，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获得稳定、有保障的货源，确保项目供应链的连续性与安全性。让这颗经过市场验证的芯片，为您的创新设计注入强大而持久的动力，助您在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:ZXMP10A17GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:424 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZXMP10A17GTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的功率开关效率低下而头疼吗？ZXMP10A17GTA正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有高达100V的漏源电压和1.7A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅350毫欧@10V），能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用便于焊接和生产的SOT-223表面贴装封装，能轻松集成到您的PCB设计中。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让驱动电路设计变得简单高效，帮助您快速实现稳定可靠的电源切换、电机控制或负载管理功能。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与可靠。