DMN30H4D1S-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为高电压、小空间下的开关性能而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMN30H4D1S-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为打破传统限制、释放设计潜能而生。它不仅仅是一个元件，更是您实现高效、可靠、紧凑型设计的强大引擎。

想象一下，在那些对空间和效率都极为苛刻的应用中，比如智能手机的快速充电模块、LED驱动电源、或是便携式设备的高压DC-DC转换器，DMN30H4D1S-7能够大显身手。其高达300V的漏源电压和430mA的连续漏极电流，确保了在高压环境下稳定可靠的开关能力。而仅4.8nC的低栅极电荷和174pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接转化为更低的系统发热和更高的整体效率。这一切，都被精妙地封装在微小的SOT-23封装内，让您的PCB布局前所未有的灵活，轻松应对日益小型化的产品趋势。

选择DMN30H4D1S-7，就是选择了一份从容与信心。它卓越的电气性能，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出更快的响应、更长的续航、更小的体积。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定运行。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES中国代理合作，您不仅能获得这颗性能出众的芯片，更能享受到稳定的供货保障、专业的技术支持和本地化的快捷服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即采用DMN30H4D1S-7，为您的下一个创新项目注入强劲动力，开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMN30H4D1S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:174 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找一颗能在高压小信号电路中既高效又省空间的开关解决方案吗？DMN30H4D1S-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有300V的高耐压和430mA的电流能力，配合仅4欧姆的低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它专为简化您的设计而生。极低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，轻松提升整体响应速度。同时，其微型的SOT-23表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，让产品设计更加紧凑精巧。无论是用于电源转换、负载开关还是电机控制，DMN30H4D1S-7都能以出色的可靠性和性能，助您一臂之力。