DMN3067LW-7

在追求极致效率的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在有限空间内稳定驱动负载、同时保持出色能效的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍DMN3067LW-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对现代紧凑型设备中的严苛挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的手持设备、便携式音频播放器或智能穿戴产品的电源管理模块中，需要一颗能够高效、可靠地控制电流通断的“心脏”。DMN3067LW-7凭借其30V的漏源电压和高达2.6A的连续漏极电流能力，完全能够胜任这一角色。其超低的导通电阻（典型值仅67毫欧@2.5A, 4.5V）意味着在开关过程中产生的热量损耗被降至极低，这不仅直接提升了整机效率，延长了电池续航，也让您的产品在温升控制上更加游刃有余，确保了长期运行的稳定性与可靠性。

这款芯片的价值远不止于参数表。它采用了微型的SOT-323封装，在PCB板上仅需占据微小的面积，为您的设计释放出宝贵的空间，让产品可以做得更轻薄、更精巧。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品强大的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，都能保持一如既往的稳定表现。选择DMN3067LW-7，就是选择了一种经过市场验证的、高性价比的解决方案。它能够帮助您加速产品上市周期，降低整体BOM成本，并最终为用户带来更流畅、更持久的体验。要确保您获得的是原装正品与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购，为您的成功之路保驾护航。

• 型号:DMN3067LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:447 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 想获取DMN3067LW-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为负载开关的效率与尺寸发愁吗？DMN3067LW-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能为您高效、可靠地控制高达2.6A的电流，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它采用超紧凑的SOT-323封装，能轻松融入空间受限的便携式设计，如智能手机、TWS耳机或物联网传感器。同时，宽广的工作温度范围确保其在各种严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且省心的“能量开关”。