DMN3035LWN-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为空间、功耗和成本而妥协？想象一下，一个仅VDFN3020-8封装大小的器件，却能承载高达5.5A的连续电流，并将导通电阻控制在惊人的35毫欧以下这并非遥不可及的未来科技，而是DMN3035LWN-13双N沟道MOSFET为您带来的现实突破。由Diodes Incorporated精心打造，这颗芯片以其卓越的性能参数，正在重新定义紧凑型功率开关的标准。

无论是需要高密度布板的便携式设备，还是对散热和效率有严苛要求的工业模块，DMN3035LWN-13都能游刃有余。其极低的栅极电荷（仅4.5nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更加“冷静”且高效。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了产品在各种恶劣环境下的可靠性，让您的设计无惧挑战。

选择DMN3035LWN-13，就是选择了一种更明智的工程平衡艺术。它不仅在性能上超越了同类产品，更通过优化的设计帮助您节省宝贵的PCB空间，降低整体系统热耗散，从而压缩BOM成本。当您寻求稳定可靠的货源与技术支持时，我们的DIODES一级代理身份确保了正品供应与全程服务，让您从选型到量产都后顾无忧。这不仅仅是一颗MOSFET，更是助力您的产品在市场上赢得先机的强大引擎。

• 型号:DMN3035LWN-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3020-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:399pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3020-8
• 想获取DMN3035LWN-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一款既能节省空间又能扛住大电流的MOSFET而烦恼吗？DMN3035LWN-13双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它集成了两个高性能MOSFET于微小的8-PowerVDFN封装内，让您轻松实现高密度设计，同时其5.5A的电流承载能力和低至35毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效。

这颗芯片专为高效开关而优化，极低的栅极电荷让驱动变得轻松，快速切换助力您的电源电路或电机控制响应更迅捷。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下的稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠且高效的动力核心。