DMNH45M7SCT

在追求极致效率的电力转换系统中，您是否曾因开关损耗过高而困扰，或因散热设计占用过多宝贵空间而妥协？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案DMNH45M7SCT。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其惊人的220A连续漏极电流和仅6毫欧的超低导通电阻，重新定义了40V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、释放系统潜能的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、高密度DC-DC转换模块或电动工具的动力系统中，能量损耗每降低一分，就意味着更长的续航、更小的散热器以及更安静的工作环境。DMNH45M7SCT正是为此而生。其卓越的开关特性（Qg仅64.7nC）能显著降低开关损耗，让您的系统在高效与高频之间游刃有余。无论是应对工业电机驱动的严苛冲击，还是满足汽车辅助电源的稳定需求，它都能提供坚实可靠的性能基石，确保您的设计在激烈的市场竞争中始终领先一步。

选择DMNH45M7SCT，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。它采用经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的功率耗散能力（高达240W）与广泛的工艺兼容性，从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，足以应对全球各种极端环境挑战。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES一级代理合作，您不仅能获得稳定可靠的原厂正品供应和具有竞争力的价格，还能享受到专业及时的技术支持与供应链服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。现在就拥抱DMNH45M7SCT，让它成为您下一个爆款产品中，那颗强大而沉默的核心。

• 型号:DMNH45M7SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4043 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为功率器件的效率和温升烦恼吗？让DMNH45M7SCT为您带来改变！这颗40V/220A的N沟道MOSFET，凭借其低至6毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让设备运行更凉爽、更持久。

它专为高电流、高频率的苛刻应用优化。极低的栅极电荷（64.7nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您轻松实现高频高效设计。无论是升级现有产品还是开发全新平台，它都能帮助您突破性能瓶颈，打造出更紧凑、更可靠的解决方案。