DMN3023L-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载大电流、又具备超低导通损耗，同时还能节省宝贵PCB空间的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的DMN3023L-13，正是这样一款集高性能与小尺寸于一身的N沟道MOSFET解决方案，它将彻底改变您对SOT-23封装器件的传统认知。

想象一下，在仅有的微小封装内，蕴藏着高达6.2A的连续漏极电流承载能力和低至25毫欧的导通电阻，这意味着在您的电源管理、电机驱动或负载开关电路中，能量损耗将被大幅削减，系统整体效率得到显著提升。其宽广的-55°C至155°C工作结温范围，确保了无论是在严寒还是酷热的环境下，设备都能稳定可靠地运行，为您的产品品质提供了坚实保障。这正是源自Diodes Incorporated的卓越技术，而通过可靠的DIODES代理，您可以轻松获得这颗性能出众的芯片。

无论是便携式设备中的电池保护电路、DC-DC转换器的同步整流，还是USB端口的电源分配，DMN3023L-13都能游刃有余。其2.5V的低驱动电压特性，使其能够完美兼容现代低电压逻辑控制，让您的设计更加灵活高效。在空间受限的物联网模块、可穿戴设备或超薄消费电子产品中，它的SOT-23封装成为了实现高功率密度设计的秘密武器，让您在激烈的市场竞争中，凭借更小巧、更高效、更可靠的产品脱颖而出。

选择DMN3023L-13，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。它用实实在在的参数30V的耐压、6.2A的电流能力、优异的开关特性证明了在方寸之间也能实现强大的功率处理。它帮助您简化散热设计，降低系统复杂度，最终缩短产品上市时间并提升市场竞争力。当卓越性能与极致紧凑相遇，所带来的价值远超组件本身，这正是驱动下一代智能设备向前发展的核心动力。

• 型号:DMN3023L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:873 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMN3023L-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭中低功率开关任务，同时最大限度节省电路板空间的“得力干将”吗？DMN3023L-13正是为您而来！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V的漏源电压和高达6.2A的连续电流输出能力，让您的电源路径管理或电机驱动设计既强劲又可靠。

它的核心魅力在于极高的效率。仅25毫欧的超低导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗极低，能显著提升系统整体能效，延长电池续航。同时，其SOT-23的超小封装，让您能在寸土寸金的PCB上实现高功率密度布局，为产品小型化设计开辟了新的可能。无论是快速开关还是持续导通，它都能让您的应用运行得更冷静、更高效。