DMN63D8LW-7

您是否正在为紧凑型设备中的高效开关控制而烦恼？想象一下，一个仅需微小空间就能实现稳定30V电压控制、380mA电流承载能力的解决方案，这正是DMN63D8LW-7为您带来的核心价值。在当今追求极致小型化与高效能的设计浪潮中，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和微型的SOT-323封装，成为了工程师手中应对空间与性能双重挑战的利器。它不仅是一个元件，更是您产品实现可靠、高效运行的基石。

无论是便携式医疗监测设备中需要精密控制的传感器电路，还是智能穿戴设备里负责电源管理的微型模块，甚至是物联网终端节点中那些对功耗极其敏感的开关应用，DMN63D8LW-7都能游刃有余。其低至2.5V的驱动电压门槛，让它在电池供电场景下表现出色，轻松被微控制器直接驱动，极大简化了您的电路设计。而高达150°C的结温工作范围，确保了它在各种严苛环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧挑战。选择它，意味着您选择了一种经过市场验证的稳健方案。

那么，为何众多领先企业最终都青睐于DMN63D8LW-7？答案在于它精准的性能平衡与极高的设计友好度。极低的栅极电荷（仅0.9nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。同时，其导通电阻在优化的工作点下表现优异，能有效减少导通时的功率损耗。当您需要可靠、高效的MOSFET解决方案时，通过值得信赖的DIODES一级代理获取原装正品，是保障供应链稳定与产品品质的关键一步。这颗芯片代表的不仅是参数，更是一种让设计更简洁、让产品更可靠、让您更省心的承诺。

• 型号:DMN63D8LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在寻找一颗能完美融入您紧凑设计的高性能开关？DMN63D8LW-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和380mA的连续电流能力，凭借其低至2.5V的驱动电压，能让您轻松地用微控制器直接驱动，高效完成各种开关与控制任务。

它采用超小的SOT-323封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保了快速响应与低功耗，让您的设备运行更高效、更持久。无论是电池供电的便携设备，还是空间受限的智能模块，它都能可靠工作，助您轻松实现设计目标。