DMN3016LPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在30V电压下稳定承载10.8A电流，同时将导通电阻压低至仅12毫欧的功率开关，将为您的系统效率带来怎样的飞跃？这正是DMN3016LPS-13为您呈现的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效节能设计的得力引擎。

无论是需要快速响应的DC-DC转换器，还是对空间和散热要求严苛的便携式设备电源模块，DMN3016LPS-13都能游刃有余。其卓越的4.5V低驱动电压特性，让它在电池供电场景下也能高效启动，大幅延长终端设备的续航时间。而在电机驱动、负载开关等应用中，其高达10.8A的连续漏极电流能力和极低的栅极电荷（仅25.1nC），意味着更快的开关速度和更低的动态损耗，直接转化为更凉爽的运行温度和更长的系统寿命。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

为何众多工程师在面临关键功率路径设计时，会倾向于信赖这款芯片？答案在于它精准平衡了性能与易用性。PowerDI5060-8的超紧凑封装，完美适配高密度PCB布局，帮助您轻松实现小型化设计。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下依然稳定如一。虽然该型号已停产，但其经典的设计和可靠的性能使其在特定存量市场和延续性项目中依然拥有不可替代的价值。若您正在寻找可靠的供货渠道与技术支持，专业的DIODES芯片代理将是您坚实的后盾，助您驾驭这颗性能利器，化设计挑战为市场优势。

• 型号:DMN3016LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.18W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有超低导通损耗的MOSFET而烦恼吗？DMN3016LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和10.8A的连续电流能力，其核心魅力在于仅12毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体效率，并缓解散热压力。

它能让您的设计工作变得异常轻松。仅需4.5V的低驱动电压即可实现高效导通，特别适合电池供电应用，帮助您延长产品续航。同时，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，让您的电源电路或电机驱动方案运行更加迅捷、平滑。其采用表面贴装的PowerDI5060-8封装，节省宝贵的电路板空间，是追求高功率密度和可靠性的现代电子设备的理想选择。