DMT10H015SK3-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能够在100V电压下承载54A电流，同时将导通电阻控制在仅14毫欧的功率器件，将为您的系统带来怎样的性能飞跃？这正是DMT10H015SK3-13为您呈现的现实。作为Diodes Incorporated精心打造的N沟道MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是通往高效、可靠与紧凑设计的钥匙。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。在服务器电源或通信设备的高密度电源模块中，其低至14毫欧的导通电阻（Rds(on)）直接转化为更低的传导损耗，意味着更少的能量以热的形式浪费，系统整体效率得以显著提升。对于电机驱动应用，无论是工业自动化中的伺服驱动器还是新兴的电动工具，100V的漏源电压（Vdss）和54A的连续电流能力提供了充足的功率余量，确保在频繁启停和负载突变时稳定可靠。而其优化的栅极电荷（仅30.1nC @ 10V）与输入电容特性，使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关的DC-DC转换器或同步整流电路，让您的电源设计在效率和功率密度上双双突破瓶颈。

选择DMT10H015SK3-13，就是选择了一份经过验证的性能承诺。它采用坚固的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其优异的散热特性（在壳温下功率耗散可达4.2W）更能应对严苛的工作环境，工作温度横跨-55°C至150°C的结温范围。无论是应对峰值负载还是持续高电流运行，它都能保持冷静与稳定。更重要的是，通过正规的DIODES授权代理渠道获取，您获得的不仅是这颗高性能芯片本身，更是从源头保障的原厂品质、可靠的技术支持与稳定的供货保障，让您的产品从研发到量产全程无忧。它代表的是一种设计哲学：以更少的损耗，释放更多的能量，用卓越的半导体技术为您的创新产品注入强大而高效的核心动力。

• 型号:DMT10H015SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 54A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），4.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMT10H015SK3-13就是您的高效解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达54A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的14毫欧导通电阻。这意味着在开关电源、电机驱动或同步整流电路中，它能大幅降低导通损耗，直接将更多的电能输送给负载，而非转化为热量，让您的系统运行更凉爽、更高效。

同时，它卓越的开关特性低栅极电荷和优化的输入电容，让开关动作干净利落，显著减少开关损耗，特别适合高频应用场景。采用TO-252封装，易于焊接和散热，帮助您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且节能的“心脏”，让性能提升立竿见影。