DMN3008SFG-7

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在保持极致紧凑的同时，实现高达17.6A的连续电流处理能力？这正是DMN3008SFG-7为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和微小的封装，正在重新定义高效率、高密度设计的可能性。它不仅仅是一个开关，更是您系统动力与效率的强劲心脏，让能量流动更顺畅，损耗更低。

无论是消费电子中的快速充电模块，还是工业自动化设备中的精密电机控制，甚至是汽车辅助系统中的负载开关，DMN3008SFG-7都能游刃有余。其30V的漏源电压和低至4.6毫欧的导通电阻，意味着在开关电源的同步整流、DC-DC转换器的低侧开关等关键位置，它能显著降低导通损耗，提升整体能效，直接为您的终端产品带来更长的续航或更小的散热压力。选择专业的DIODES芯片代理，您将获得稳定可靠的货源和全面的技术支持，确保这颗高性能芯片的价值在您的设计中得到完美释放。

那么，在众多MOSFET中，为何DMN3008SFG-7值得您特别关注？答案在于它精妙的平衡艺术。它在高电流能力、超低导通电阻与快速开关特性之间取得了绝佳平衡。仅86nC的栅极电荷和优化的输入电容，确保了快速的开关速度，减少开关损耗，特别适合高频应用。同时，其采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，在提供强大功率处理能力的同时，占板面积极小，完美契合当今电子产品小型化、集成化的潮流。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它出色的环境适应性和可靠性，让您的设计无惧严苛挑战。选择DMN3008SFG-7，就是选择了一份在性能、尺寸与可靠性上的卓越承诺。

• 型号:DMN3008SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一颗既能承载大电流又足够小巧高效的MOSFET而烦恼吗？DMN3008SFG-7正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达17.6A的连续电流，其超低的4.6毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，直接提升您系统的整体能效和续航能力。

它专为要求苛刻的开关应用而生。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，其快速的开关特性和高达30V的耐压，都能确保响应迅捷、运行稳定。采用紧凑的PowerDI3333-8封装，让您在有限的空间内实现强大的功率控制，设计更灵活，产品更具竞争力。