DMN3008SFG-13

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效功率转换时，是否曾为寻找一颗兼具高性能与高可靠性的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMN3008SFG-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈、简化设计挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现卓越性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动模块或高密度DC-DC转换器中，一颗芯片就能承载高达17.6A的连续电流，同时将导通电阻压降至惊人的4.6毫欧。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。其30V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它应对各种严苛应用环境的强大韧性，无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，它都能稳定可靠地运行，成为您设计中坚不可摧的基石。

选择DMN3008SFG-13，就是选择一种经过验证的卓越。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的电源系统响应更迅捷，整体能效表现更上一层楼。采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，它在提供强大功率处理能力的同时，最大限度地节省了宝贵的PCB空间，让您的设计可以更加紧凑、优雅。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，我们的官方DIODES代理商网络随时准备为您提供从样品到量产的全方位服务。让这颗高效、可靠的功率开关，成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:DMN3008SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？DMN3008SFG-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有高达17.6A的电流承载能力和低至4.6毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerDI3333-8封装，非常适合空间受限的高密度设计。优异的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现快速、高效的功率切换，无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，都能让系统性能脱颖而出。