DMT3009LFVW-13

当您需要一款能够在紧凑空间内提供强劲动力，同时保持卓越能效的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在DMT3009LFVW-13这颗性能卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。凭借其高达30V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，它为您的高效能量转换提供了坚实的硬件基础，让每一次开关都精准而有力。

想象一下，在您的手持式电动工具中，它能够瞬间提供强劲扭矩；在您的便携式储能设备里，它高效管理着电池的充放电，延长宝贵的续航时间；在服务器或通信设备的DC-DC转换模块中，它默默无闻地提升着整体电源效率，降低系统发热。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，DMT3009LFVW-13都能凭借其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和出色的可靠性，在各种严苛环境下稳定运行，成为您产品设计中值得信赖的核心开关。

选择它，意味着您选择了一种更优的设计平衡。其极低的导通电阻（典型值仅11毫欧@10V）直接转化为更少的导通损耗和更低的温升，让您的系统运行更凉爽、更高效。先进的PowerDI3333-8封装不仅实现了超小的占板面积，其可润湿侧翼设计更是为自动化光学检测（AOI）提供了便利，极大提升了生产良率和制造可靠性。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，我们的DIODES中国代理网络随时准备为您服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一颗MOSFET，更是助力您的产品在市场竞争中脱颖而出的性能引擎。

• 型号:DMT3009LFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 14.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:823 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一款兼具高性能与小尺寸的功率开关而烦恼吗？DMT3009LFVW-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V/12A的强劲规格，其核心价值在于让您轻松实现高效的能量控制与转换。

它凭借低至11毫欧的导通电阻和快速的开关特性，能显著降低您系统中的功率损耗和发热，直接提升整体能效。无论是驱动电机、管理电源路径还是进行负载开关，它都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽。采用先进的PowerDI3333-8封装，节省宝贵空间的同时，也确保了卓越的散热性能和焊接可靠性，让您的产品从内到外都更具竞争力。