DMN2600UFB-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能满足紧凑空间要求，又能提供稳定可靠开关性能的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍DMN2600UFB-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和微小的封装，正在重新定义高效率电源管理和信号切换的边界。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器模块中，每一毫瓦的功耗都至关重要，每一立方毫米的空间都弥足珍贵。DMN2600UFB-7正是为此而生。它采用先进的3-X1DFN1006超紧凑封装，面积几乎可以忽略不计，却能稳健地处理高达25V的电压和1.3A的连续电流。其低至350毫欧的导通电阻（在4.5V Vgs下），意味着在开关过程中产生的热量和能量损耗被降至极低，直接转化为更长的电池续航时间和更凉爽的系统运行温度。无论是用于负载开关、DC-DC转换器中的同步整流，还是电机驱动中的PWM控制，它都能以极高的效率默默工作，成为您产品中那个最可靠却最不引人注目的“能量守门员”。

选择DMN2600UFB-7，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它极低的栅极电荷（仅0.85nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，让您的系统响应更加敏捷，特别适合高频开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，从消费电子到工业控制，都能游刃有余。当您需要稳定、高效的供应链支持时，遍布全球的DIODES芯片代理网络将为您提供从样品到批量生产的无缝服务。让这颗集高性能、小尺寸与高可靠性于一身的MOSFET，成为您下一个爆款产品中不可或缺的核心动力，助力您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:DMN2600UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.85 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70.13 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:540mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• 想获取DMN2600UFB-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为空间有限的PCB布局发愁吗？DMN2600UFB-7就是您理想的解决方案。这颗N沟道MOSFET采用微型3DFN封装，却能为您提供25V/1.3A的稳健开关能力，让您在寸土寸金的电路板上轻松实现高效的电源路径管理和信号切换。

它拥有极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷，这意味着更少的能量损耗和更快的开关速度。无论是用于提升便携设备的续航，还是优化电机驱动的响应，它都能让您的系统运行得更凉、更快、更持久。选择它，就是为您的产品注入了高效可靠的核心动力。