DMN2250UFB-7B

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗仅如米粒般大小、却能稳定驱动1.35A电流的N沟道MOSFET，将如何彻底改变您的产品布局？答案就在DMN2250UFB-7B。这款来自Diodes Incorporated的先进功率器件，以其卓越的能效比和微型化封装，正成为工程师手中实现设计突破的秘密武器。

当您面对需要高效开关、快速响应的应用场景时，DMN2250UFB-7B的价值便展露无遗。无论是智能手机中精细的负载开关、便携式设备里的电池保护电路，还是IoT传感器模块的电源路径管理，它都能游刃有余。其低至170毫欧的导通电阻（在1A, 4.5V条件下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的设备续航和更冷静的运行状态。而高达150°C的结温工作能力，则赋予了产品在严苛环境下依然稳定可靠的底气。

选择它，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。其超低的栅极电荷（仅3.1nC @ 10V）和输入电容，确保了极快的开关速度，让您的系统响应更加敏捷，整体效率再上一个台阶。采用先进的3DFN（X1-DFN1006-3）表面贴装封装，在节省了高达70%的PCB空间的同时，其优异的散热性能也解决了高密度集成中的热管理难题。这意味着您可以在更小的体积内实现更强大的功能，为产品增添独特的市场竞争力。如果您正在寻找一个可靠、高效且易于采购的解决方案，DIODES中国代理将为您提供从技术支援到稳定供货的全方位服务。

从原型设计到量产落地，DMN2250UFB-7B始终是您值得信赖的伙伴。它完美平衡了性能、尺寸与成本，让您无需在关键参数上做出妥协。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）覆盖了从消费电子到工业控制的广泛需求，而仅需1.8V的低驱动电压即可实现高效导通，更是为低电压系统设计打开了方便之门。拥抱这颗小巧而强大的芯片，就是拥抱更高效率、更小体积和更具创新性的产品未来。

• 型号:DMN2250UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.35A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:170 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• 想获取DMN2250UFB-7B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为有限的电路板空间和散热问题头疼吗？DMN2250UFB-7B正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达1.35A的连续电流，其卓越的170毫欧低导通电阻，让您的电源路径损耗大幅降低，直接将更多电能用于驱动负载，从而显著提升整机效率并减少发热。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷和输入电容确保了迅猛的开关速度，让您的系统响应更快、运行更流畅。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源转换，它都能让您的设计更加紧凑、性能更加可靠。选择它，就是选择了一种让产品更轻薄、续航更持久、竞争力更强的智能方案。