DMN21D2UFB-7B

当您的便携式设备需要在狭小空间内实现高效电源管理时，您是否曾为选择一颗性能可靠、尺寸极致的MOSFET而烦恼？现在，答案来了。DMN21D2UFB-7B正是为应对此类挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的漏源电压和760mA的连续漏极电流能力，在微型化设计中提供了稳定而强大的开关性能。其核心魅力在于，它成功地将卓越的电气特性浓缩进了几乎难以察觉的3-X1DFN1006封装之中，让您的产品在性能与体积之间不再需要艰难取舍。

想象一下，在智能手表、TWS耳机、便携式医疗传感器或物联网终端设备中，每一毫米的PCB空间都弥足珍贵。DMN21D2UFB-7B的登场，意味着您可以在电池管理、负载开关、信号切换等关键电路节点上，部署一个高效且安静的“能量守门员”。它极低的栅极电荷（仅0.93nC @ 10V）和输入电容，确保了快速的开关速度和极低的驱动损耗，这对于延长电池续航至关重要。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了产品从严寒到酷暑的可靠适应能力，让您的设计无惧环境挑战。

选择DMN21D2UFB-7B，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它1.5V的低驱动电压门槛，使其能与现代低功耗MCU完美协同，简化您的系统设计。而990毫欧的低导通电阻（@ 100mA, 4.5V），则直接转化为更低的导通压降和更少的热量产生，提升了整体能效。为了让您能更顺畅地将这颗明星芯片集成到您的创新中，我们作为专业的DIODES一级代理，不仅保障稳定供货，更能提供深入的技术支持与选型指导。它不仅仅是一个组件，更是您产品实现小巧、高效、可靠特质的关键赋能者，助您在激烈的市场竞争中，以细节赢得优势。

• 型号:DMN21D2UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):760mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.6 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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在追求极致能效与微型化的今天，DMN21D2UFB-7B是您电路中的高效“微型开关”。它基于先进的MOSFET技术，能轻松处理高达20V的电压和760mA的电流，让您在便携设备的电源管理、信号路径切换等应用中游刃有余。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更少的驱动损耗，直接为您延长电池续航。同时，其紧凑的3DFN封装为您节省宝贵的PCB空间，而宽达-55°C至150°C的工作温度范围，则确保了产品在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的双重保障。