BSS8402DW-7-F

您是否正在为紧凑型设备中的高效电源管理解决方案而烦恼？在追求极致小型化的今天，每一平方毫米的PCB空间都弥足珍贵。现在，我们为您带来一个革命性的答案BSS8402DW-7-F。这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，将N沟道与P沟道MOSFET巧妙地集成于一个超小的SC70-6封装内，如同一颗功能强大的“能量心脏”，专为解决空间与性能的矛盾而生。

想象一下，在您的便携式医疗设备、可穿戴电子产品或超薄型消费电子中，它如何大显身手。其逻辑电平门控特性，意味着它可以直接与微控制器等低压逻辑电路无缝对话，无需复杂的电平转换电路，大大简化了您的设计。无论是用于负载开关、电源路径管理，还是信号切换，这颗芯片都能以极低的导通电阻（低至7.5欧姆）和出色的开关效率，确保能量精准、快速地流向需要的地方，同时将功率损耗降至最低。其高达60V/50V的漏源电压耐受能力，为您提供了宽裕的设计余量，从容应对各种电压波动。

选择BSS8402DW-7-F，就是选择了一种更智能、更集成的设计哲学。它不仅仅替代了两个分立MOSFET，更节省了宝贵的布局空间，减少了元件数量，从而显著提升了系统的整体可靠性并降低了BOM成本。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了产品在严苛环境下的稳定运行。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的DIODES代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让这颗高效集成的双MOSFET阵列，成为您下一代创新产品中不可或缺的效能引擎，助您轻松驾驭复杂电路，释放产品的全部潜能。

• 型号:BSS8402DW-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V，50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA，130mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V，45pF @ 25V
• 功率 - 最大值:200mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在为电路板空间捉襟见肘而困扰吗？BSS8402DW-7-F正是您期待的解决方案。这颗芯片将N沟道和P沟道MOSFET集成于微小的SC70-6封装，为您实现高效的负载切换与电源管理。它能让您轻松简化设计，用一个器件完成以往需要多个分立元件才能实现的功能。

凭借其逻辑电平门控和低至7.5欧姆的导通电阻，它能与您的微处理器直接高效对话，显著降低系统功耗和热量产生。无论是驱动小型负载，还是在信号路径中进行快速切换，它都能确保稳定可靠的性能，让您的产品设计更紧凑、更高效、更具竞争力。