DMN2058UW-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗体积微小却性能强劲的MOSFET，能够轻松应对严苛的汽车电子环境，为您的设计注入澎湃而稳定的动力。这正是DMN2058UW-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、确保可靠运行的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的电气特性，在众多应用场景中大放异彩。无论是汽车LED照明驱动中精准的电流控制，还是车载信息娱乐系统里高效的DC-DC转换，甚至是ADAS传感器模块的精密电源管理，DMN2058UW-13都能凭借其低至42毫欧的导通电阻和仅7.7nC的低栅极电荷，显著降低导通损耗和开关损耗，让能量传递更高效，系统发热更少。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，以及符合AEC-Q101标准的汽车级品质，意味着它能在发动机舱附近的高温环境或严寒气候下稳定工作，为您的产品赢得市场信赖打下坚实基础。

选择DMN2058UW-13，就是选择了一种面向未来的设计思路。在空间寸土寸金的现代PCB上，其SOT-323封装提供了极佳的布局灵活性，让您能从容设计更紧凑、更轻薄的终端产品。同时，其1.8V的低驱动电压门槛，使其能与现代低压微处理器和逻辑电路完美配合，简化驱动设计，加速您的产品上市周期。当您需要可靠、高效且具有成本效益的汽车级MOSFET解决方案时，与专业的DIODES代理商合作，获取DMN2058UW-13及其完整的技术支持，无疑是通往成功最稳健的路径。让它成为您下一个明星产品中不可或缺的“高效心脏”，驱动创新，赢得竞争。

• 型号:DMN2058UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:281 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 想获取DMN2058UW-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能在紧凑空间内提供强劲开关性能的汽车级MOSFET吗？DMN2058UW-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有20V的漏源电压和3.5A的连续漏极电流能力，其核心优势在于极低的42毫欧导通电阻和7.7nC的栅极电荷，能大幅降低功率损耗，让您的电源转换或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。

它专为应对汽车电子环境的挑战而设计，符合AEC-Q101标准，工作结温范围高达150°C，确保在引擎轰鸣或烈日炙烤下依然稳定可靠。采用微小的SOT-323封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其1.8V的低阈值电压让它可以轻松被现代低压MCU驱动，简化您的电路设计。选择DMN2058UW-13，就是为您的汽车照明、电机控制或电源管理模块注入一颗高效、可靠且节省空间的核心。