DMN67D8LW-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正为寻找一颗能在有限空间内稳定驱动负载、同时保持出色能效比的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMN67D8LW-7。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其精妙的平衡艺术，重新定义了小型化功率管理的可能性。它不仅是一颗晶体管，更是您产品提升可靠性、延长续航、优化整体性能的关键拼图。

想象一下，在您的手持医疗设备、便携式消费电子或精密的物联网传感器节点中，空间何其珍贵。DMN67D8LW-7采用超紧凑的SOT-323封装，面积微小却蕴含巨大能量，能轻松融入最苛刻的PCB布局，为您的设计释放宝贵的空间。其高达60V的漏源电压和240mA的连续漏极电流，意味着它能够从容应对多种低压到中压场景的开关与驱动需求，无论是电池管理电路中的负载开关，还是信号路径的精准切换，都能确保稳定流畅的运行。更令人印象深刻的是，它在5V或10V的低驱动电压下即可实现优异的导通性能，这直接转化为更低的栅极驱动损耗和更简单的驱动电路设计，让您的系统整体能效再上一个台阶。

选择DMN67D8LW-7，就是选择了一份从容与可靠。其极低的栅极电荷（仅0.82nC）和输入电容（22pF），确保了超快的开关速度，能显著减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用，帮助您的产品在响应速度和能效之间取得完美平衡。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它强大的环境适应性，无论产品身处严寒还是酷热，都能稳定工作，极大提升了终端产品的耐用性和市场竞争力。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的DIODES授权代理渠道将为您提供从选型到量产的全方位保障。让DMN67D8LW-7成为您下一个创新项目的强大心脏，见证它如何以微小身躯，驱动令人瞩目的性能飞跃。

• 型号:DMN67D8LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在为电路中的高效、紧凑开关方案发愁吗？让DMN67D8LW-7为您轻松解决！这颗N沟道MOSFET是专为空间受限、追求能效的应用而生的得力助手。它能在5V/10V的低电压驱动下高效工作，以仅5欧姆的低导通电阻，确保高达240mA的电流顺畅通过，显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

其超快的开关特性（栅极电荷仅0.82nC）让信号切换干净利落，非常适合需要快速响应的控制电路。无论是用于便携设备的电源管理、信号链路的精准选通，还是作为各种负载的驱动开关，DMN67D8LW-7都能以SOT-323微型封装之躯，提供稳定可靠的60V耐压保障，助您轻松实现高性能、高可靠性的紧凑设计。