DMN2028UFU-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为空间、功耗和性能的平衡而妥协？想象一下，一颗比指尖还小的芯片，却能承载高达7.5A的连续电流，导通电阻低至惊人的20.2毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是设计自由度的革命性飞跃。这正是DMN2028UFU-13为您带来的核心价值将高性能与微型化完美融合，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是需要高密度布板的智能手机快充模块，还是对散热和效率有严苛要求的便携式储能设备，这颗双N沟道MOSFET都能游刃有余。其20V的漏源电压和出色的开关特性，使其成为同步整流、负载开关和电机驱动等应用的理想心脏。在无人机、智能穿戴设备或是超薄笔记本的内部，它正默默发挥着关键作用，确保每一分电能都被高效、可靠地利用，显著延长终端设备的续航时间，并提升用户体验。

选择DMN2028UFU-13，意味着您选择了一种更明智的工程哲学。它不仅仅是一个元件，更是一个经过优化的系统解决方案。其超低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力于提升整体系统效率。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性和可靠性。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您下一代产品征服市场的秘密武器。

• 型号:DMN2028UFU-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:887pF @ 10V
• 功率 - 最大值:900mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
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还在为有限的PCB空间和散热设计头疼吗？DMN2028UFU-13双N沟道MOSFET阵列，以其微型化的UDFN2020-6封装，为您释放宝贵的布局空间。它集成了两个高性能MOSFET，让您轻松实现更紧凑、更高效的电路设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至20.2毫欧的导通电阻和7.5A的连续电流能力，大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。其优异的开关特性（栅极电荷仅18.4nC）确保高速切换，进一步提升系统整体能效。

无论是便携设备、消费电子还是工业控制，DMN2028UFU-13都能以卓越的稳定性和宽广的工作温度范围，保障您产品的可靠运行。选择它，就是选择了一份高效与安心的承诺。